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| | | | | | | 我上次看到资料有说负温度系数的,,,,我记得好像也是随温度上升而下降的
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | |
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| | | | | 在25到150℃范围内,常见的硅MOS管是正温度系数的,导通电阻随温度上升而增加,特殊温度范围不讨论,你非要研究零下100度这类的温度,你需要研究半导体材料的温度特性,包括载流子浓度和迁移率等随温度的变化。
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | 不是温度,你看看曲线,不同驱动电压下,内阻与温度的关系。 |
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| | | | | | | | | 假如其他的都是定量,仅仅考虑温度与Rds,那么在常温下,MOS管的温度越高则Rds(on)怎么变化呢?
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| | | | | | | | | | | 随便找一个MOS的规格书上都有,VGS和IDS不变的情况下,温度越高,RDS越大
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | 版主,问您个关于双管反激的问题。 我最近在测试双管反激产品时,发现原边下管的应力总是比上管的应力高,请问这个现象是必然的还是偶尔的?
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| | | | | | | | | 额,我那句话的前提是器件完全导通,不考虑Vgs对Ron的影响。
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