|
|
| | | | | | | 跟时序应该没关系吧。 因为我的指的是是稳态时的波形,也就是在两个管子完全关断后的,两个管子的电压并没有均分,下管的应力比上管的高。 |
|
|
|
|
| | | | | | | 理论上如果两个MOS管的分布参数完全一致的话,应该是均压的,,,那么是什么导致下管的应力比上管高呢? |
|
|
|
| | | | | 测试方法要正确,示波器只能夹输入电容两端,上管反着测
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 如果两个差分探头共4个头,可以不分正负双踪,交换再双踪相互校对
如果只有一个差分,要与普通探头双踪相互校对,普通探头夹地和夹母线、直流和交流档、差分探头正和负,大约这6种组合相互校对
此外,差分探头还要做静态校正
|
|
|
|
| | | | | 可能是驱动电路问题,先确认两个MOS管的门极驱动信号是不是有差异。 |
|
|
| | | | | | | 上管驱动相对于下管驱动有一定的延迟,但是我测得是关断后的稳态波形,跟驱动差异关系应该不大吧。
驱动差异更多的是影响瞬态的那个尖峰吧
|
|
|
| | | | | | | | | 最后的分压应该与电路中与MOS的寄生电容有关,进行分压
|
|
|
| | | | | 我也发现这个问题下管应力大。
-
蓝色为下管
-
更换差分探头黄色下管
|
|
|
| | | | | | | 感觉是测试问题。
是不是探头没有设置好。
可用两个探头,同时测一个管子Vds,看看是否一致。
|
|
|
| | | | | | | | | 暂时没有深究因为不至于损坏我的MOS关于测试这块还有个问题请教版主。
移相全桥类的拓扑上下管的这种。用示波器差分探头测试GS波形,上管比下管会差好多。下管的黑表笔接原边电压负,上管黑表笔接的就是桥臂中点。像这样的测试会带来误差或者不准确么?还是说移相全桥类的拓扑上管波形就是差?如果是差,原因在哪一块?驱动电路参数都是一样的PCB的布局基本一致。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | 上管GS就不要去测了,有很大毛病,工程禁忌!
测下管GS、DS、Vbus即可,上管DS=Vbus-下管DS,比较上下管的DS波形,可判断上下管的GS波形。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 用差分探头完全可以测试,上下管VDS不一样跟布局关系很大,也就是上下管的分布电容不一样!
|
|
|