| | | | | 这个是我设计电电路,感觉还时不行,输入多少,输出就时多少。
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| | | | | | | 电阻阻值PNP的上下分压电阻是下篇7.5K,上篇75K,另外一个电阻是10K。
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| | | | | | | MOS内有体二极管,你这样不能切换,
要简单可以这样:
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| | | | | | | | | 体二极管正偏啊,我是S端接输入端,照理说当输入电压高时那个MOS是栅极应该是高电平,实测也是高电平,跟输入电压相差0.6V的样子,我用的管子是AO3401,VGS开启电压是-0.5V,所以我一直怀疑是MOS栅极电压拉的不够。
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| | | | | 把电路搞的那么复杂不如直接选一个低压降的LDO,比如输出4.5V压降300mV的LDO。如果受价格或参数限制也可以自己搭一个大电流、低压差的LDO。
自搭的稳压电路容易发生自激震荡,所以在上图中运放431旁接一个电阻和电容构成PI补偿用来保障输出的稳定。
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| | | | | | | 谢谢回答,你说的4.5V压降300mV的LDO是什么型号?
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| | | | | | | 我找了一下,常规的LDO没有那么大电流大,特别是5V输入时,输出达到300mA的都不多。
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| | | | | | | | | | | NJM2880U1-45-TE1
S-816A46AMC-BAVT2G
S-816A46AMC-BAVT2U
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| | | | | | | | | | | | | 谢谢回答,但是你给的几个型号功率太小了,我要做输入电压5-12V的,输出4.3V 500mA的充电电路。当最大输入时压降为(12-4.5V)=7.5V,电流500mA,功耗为3.75W,上面几个IC扛不住。
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| | | | | | | | | | | | | | | 常见的LDO应该满足不了需求(毕竟最大3.5W),如果用DC-DC的话。在最低压时5V(甚至到不了5V,因为带载的话经过线材后有压降,可能到板端才4.7V)转4.3V,占空比要到0.86。可能要到极限了,会有风险。所以这就是我要弄个切换电路的原因。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 3.5W会有些热,这个产品不在乎效率吗?损耗都比实际需求的功耗高了。DC-DC不好处理的话加个变压器,譬如做成一个小反激电源。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 板子没位置加了。。现在想到的只有用切换电路,一路DC-DC在高于6.5V时工作,低于6.5V直通到4054,这个是我设计的电路,但是现在有个问题,就是不切换
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个电路跟5楼的电路差不多也是稳压电路,只是精度不高而已。不能切换怀疑是电阻R2值太大了驱动不了三极管。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢回复,你这画的N-MOS,我画的是P-mos,源极接输入,漏记接输出。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 额……你的电阻除了R1都是R2……,说的是75K那个电阻,75k和7.5k电阻等比例缩小。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你可以说成本不允许;两个sot23的三极管换一个so8的运放,空间差不了多少。
低成本低精度,李版那个电路足够了。
三极管的Vbe温飘太大,必须要有一个基准,最便宜的基准就是稳压管,这个省不了。你可以把功率管换成NPN,然后另一个信号NPN去拉低基极电压,省下一个小NPN。
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| | | | | 侦测输入电压,如果小于6.5V,就把你的DC/DC电路导通占空比强制拉到100%。
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| | | | | 用一个DC-DC好了,我用过XL1410,增加一个运放直接就可以当充电器了,省掉你将要用的4054
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