GAN是什么？四种基本的GaN设计资源

氮化镓 (GaN)：推动性能超越芯片界限

利用 TI 适用于所有功率级别的 GaN 器件产品系列最大限度地提高功率密度和可靠性

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GaN 是什么？

氮化镓（或 GaN）正在为电力工程行业带来变革，它实现了以往硅 MOSFET 从未达到的高速、效率提升水平和更高功率密度。

GaN 固有的较低栅极和输出电容

可实现以 MHz 开关频率运行，同时降低栅极和开关损耗，从而提高效率。不同于硅，GaN 不需要体二极管，因而消除了反向恢复损耗，并进一步提高了效率、减少了开关节点振铃和 EMI。

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集成以实现性能最大化

TI 的 GaN 系列解决方案集成了高速驱动器、EMI 控制、过热和过流保护，同时具有 100ns 的响应时间。集成式器件使布局得以优化，能够最大限度地减少寄生电感、提高 dv/dt 抗扰性 (CMTI)，并缩小布板空间。 广泛的产品系列为几乎所有应用提供了易于使用的解决方案，以便于充分利用 GaN 技术的优势。

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稳健

德州仪器 (TI) 作为半导体技术行业的领导者，长期向市场推出可靠的半导体产品。TI 的 GaN 器件所采用的 GaN 技术通过了 2,000 万小时的实际应用硬开关器件可靠性加速测试，可在器件和系统级别为工程师提供可靠性。

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查看最受欢迎的LMG341x系列的4个产品介绍及设计资源，您的同行正在使用这些资源来帮助您进行GaN设计。

• LMG3411R070
  

      具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN

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• LMG3410R070
  

      具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN

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• LMG3410R050
  

      具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN

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设计GaN功率级的热考虑因素

SPICE模型

采用GaN高功率密度的电源设计

高功率密度的 GaN 电源设计中的过流保护

GaN 与 Si MOSFET

使用 GaN，创造无限可能。 了解 GaN 如何改进下一代直流/直流转换器的能效、功率密度以及解决方案尺寸。

本白皮书探讨了：

•低输出电容如何加快开关速度并降低开关损耗

•低输入电容如何降低栅极驱动器损耗

•零反向恢复如何实现高效硬开关拓扑

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