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未解决

为什么很少人提及trr

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dianyuanfish
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高级工程师
  • 2019-1-23 10:19:42
10问答币
在LLC拓扑里面用的MOSFET,要一定用自带快恢复体内二极管的吗?其体内二极管的trr有多大影响?为什么整个谐振过程都没有提及到这个trr带来的影响?谢谢
Coming.Lu
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版主
  • 2019-1-23 12:20:55
 
正常工作,零电压开关,不用考虑Trr。
dianyuanfish
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LV6
高级工程师
  • 2019-1-23 13:46:17
 
今天听到一个公司的FAE说,PFC可以考虑用体内不带快恢复二极管的MOS,而LLC则一定要体内带快恢复二极管的MOS。是这样否?
greendot
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LV12
专家
  • 2019-1-23 14:57:09
 
大概是,LLC死区越短,越需要快恢复管。
dianyuanfish
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LV6
高级工程师
  • 2019-1-23 16:17:15
 
绿点大师可否详细解说一下?为什么LLC需要体内快恢复二极管?PFC则可以慢恢复。
Coming.Lu
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版主
  • 2019-1-23 18:43:51
 
这种说法,最近很流行。
我相信你再深问那个FAE,他也说不出个所以然。
反正我是没什么感觉。


cyx7610
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总工程师
  • 2019-1-23 22:07:52
 
基本上是这样,LLC开关MOS一定要带快D的(快恢复体二极管).否则在做短路开机很容易挂掉。
power_luo
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LV6
高级工程师
  • 2019-1-24 09:23:48
 
不做大功率的话,基本不用考虑用带快恢复功能 的MOS。
power_luo
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LV6
高级工程师
  • 2019-1-24 09:26:08
 
我 是基于客户使用所来提出来的,大功率 的基本都用带快恢,500W以下的基本没有考虑用带快恢的。
cyx7610
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LV10
总工程师
  • 2019-2-26 22:52:34
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在硬开关上,Trr可能影响不是很大,但在LLC上就要注意了。
chaos2008
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副总工程师
  • 2019-1-23 16:49:26
 
https://wenku.baidu.com/view/799cd0f22b160b4e777fcf86.html
看看这个文章你就明白了为什么要用带快恢复体二极管的MOS管了
greendot
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LV12
专家
  • 2019-1-23 17:30:01
 
哦,我在 https://bbs.21dianyuan.com/thread-297720-1-1.html 59楼贴过英文版的,自己却丢了。
口乃心之门户
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LV10
总工程师
  • 2019-1-23 20:16:25
 
AN-9067Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant Converter-en.pdf (1.54 MB, 下载次数: 19)
zhuliu09
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LV8
副总工程师
  • 2019-1-31 16:24:39
 
LLC正常工作是不用考虑这个的。只有LLC发生输出短路异常等情况下,LLC可能进入容性工作状态,才需要考虑MOS的体二极管反向恢复问题。
ruohan
  • ruohan
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LV8
副总工程师
  • 2019-2-1 10:34:40
 
现在已经有不带体二极管的MOS 了吗
join3090
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LV6
高级工程师
  • 2019-2-1 10:49:33
 
一般MOS的二极管是工艺结构寄生决定的,恢复时间较长,而且DV/DT小。在LLC或移项全桥发生硬开关时,上下管共通,最后。。。砰。 Trr低的都是MOS并快恢二极管结构。还有L6699可以不用,有容模检测保护。
greendot
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LV12
专家
  • 2019-2-14 19:25:06
  • 倒数10
 
是的,体二极管有机会没完全反向恢复,导致 hard switching, 损坏MOS。
zhuliu09
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LV8
副总工程师
  • 2019-2-11 10:17:39
 
据我所知,并没有这种MOS。
join3090
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LV6
高级工程师
  • 2019-2-14 16:23:45
 
好好看看,不知道就问问FAE,英飞凌CFD系列,仙童好像是FCP,东芝HSD
zhuliu09
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LV8
副总工程师
  • 2019-2-25 15:03:04
  • 倒数9
 
那个只是针对体二极管进行过优化的MOS,不叫不带体二极管的MOS,两者是有区别的,CFD系列体二极管依然存在。我本人目前的工作就是功率器件的FAE呀。
join3090
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LV6
高级工程师
  • 2019-2-25 17:34:51
  • 倒数8
 
英飞凌官网上对CFD描述为:“”’The 600V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode“”,“” integrated“”我理解为“”集成“”意思。东芝对“DTMOS(HSD)” Series with a high-speed diode.用词是 "With" 并没有说优化一类的词啊。请指教。
zhuliu09
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LV8
副总工程师
  • 2019-2-26 10:03:50
  • 倒数7
 
你是要咬文嚼字是吧?
我的原回答是没有不带寄生二极管的MOS。MOS的器件结构就决定了此体二极管无法消除,CFD系列针对器件结构进行了优化,牺牲了部分开关性能以换取体二极管性能的提升,我说针对体二极管进行了优化,有何问题?
你直接回答,什么硅MOS可以没有体二极管?
join3090
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LV6
高级工程师
  • 2019-3-6 17:22:29
  • 倒数4
 
不好意思,看错了
cyx7610
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LV10
总工程师
  • 2019-2-26 22:53:50
  • 倒数5
 
是的,短路开机,很容易炸掉LLC开关MOS。
xkw1cn
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版主
  • 2019-2-2 15:44:03
 
这个参数对高端电源有很重要意义。主要体现在电源利用率和效率方面。而普通LLC;由于成本和供货问题,加之频率不高,意义不是很大。
cyx7610
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LV10
总工程师
  • 2019-2-3 18:05:21
 
在LLC中很重要。
qiuyuqiang01
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LV6
高级工程师
  • 2019-3-6 20:47:01
  • 倒数3
 
LLC的话确实会有比较特殊的状态需要这个快恢复二极管,不过如果没有也可以通过限制最低频率去解决,这么多年,至少在消费类产品上没人舍得用这个,仙童之前有类似产品,另外PFC未必不需要,CCM进去轻载非连续的时候也会有反向恢复的问题。
xiaotian2016
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LV3
助理工程师
  • 2019-6-6 13:36:23
  • 倒数2
 
资料很好,学习一下
BingSun
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LV10
总工程师
最新回复
  • 2019-6-7 14:20:08
  • 倒数1
 
在闭环回路中,Trr引起的延时会由回路补尝回来。

之前做过一些开环控制的电路,比较器有两百多纳秒的延时Trr也有200多,加起来就有0.5uS,所以影响很大的。

低压mos管Trr非常小,所以在DC-DC常见300K-1M的频率,而高压中很少见,主要的大多高压MOS  Trr大多高于200nS以上,ST有一些Trr非常小的MOS管小到80nS ,但可能不好买。



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