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| | | | | | | 今天听到一个公司的FAE说,PFC可以考虑用体内不带快恢复二极管的MOS,而LLC则一定要体内带快恢复二极管的MOS。是这样否?
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| | | | | | | | | | | 绿点大师可否详细解说一下?为什么LLC需要体内快恢复二极管?PFC则可以慢恢复。
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| | | | | | | | | 这种说法,最近很流行。
我相信你再深问那个FAE,他也说不出个所以然。
反正我是没什么感觉。
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| | | | | | | | | 基本上是这样,LLC开关MOS一定要带快D的(快恢复体二极管).否则在做短路开机很容易挂掉。
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| | | | | | | | | 不做大功率的话,基本不用考虑用带快恢复功能 的MOS。
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| | | | | | | | | | | 我 是基于客户使用所来提出来的,大功率 的基本都用带快恢,500W以下的基本没有考虑用带快恢的。
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| | | | | | | | | | | 在硬开关上,Trr可能影响不是很大,但在LLC上就要注意了。
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| | | | | LLC正常工作是不用考虑这个的。只有LLC发生输出短路异常等情况下,LLC可能进入容性工作状态,才需要考虑MOS的体二极管反向恢复问题。
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| | | | | | | | | 一般MOS的二极管是工艺结构寄生决定的,恢复时间较长,而且DV/DT小。在LLC或移项全桥发生硬开关时,上下管共通,最后。。。砰。 Trr低的都是MOS并快恢二极管结构。还有L6699可以不用,有容模检测保护。
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| | | | | | | | | | | 是的,体二极管有机会没完全反向恢复,导致 hard switching, 损坏MOS。
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| | | | | | | | | | | 好好看看,不知道就问问FAE,英飞凌CFD系列,仙童好像是FCP,东芝HSD
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| | | | | | | | | | | | | 那个只是针对体二极管进行过优化的MOS,不叫不带体二极管的MOS,两者是有区别的,CFD系列体二极管依然存在。我本人目前的工作就是功率器件的FAE呀。
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| | | | | | | | | | | | | | | 英飞凌官网上对CFD描述为:“”’The 600V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode“”,“” integrated“”我理解为“”集成“”意思。东芝对“DTMOS(HSD)” Series with a high-speed diode.用词是 "With" 并没有说优化一类的词啊。请指教。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你是要咬文嚼字是吧?
我的原回答是没有不带寄生二极管的MOS。MOS的器件结构就决定了此体二极管无法消除,CFD系列针对器件结构进行了优化,牺牲了部分开关性能以换取体二极管性能的提升,我说针对体二极管进行了优化,有何问题?
你直接回答,什么硅MOS可以没有体二极管?
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| | xkw1cn- 积分:131263
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- 主题:37517
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- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | 这个参数对高端电源有很重要意义。主要体现在电源利用率和效率方面。而普通LLC;由于成本和供货问题,加之频率不高,意义不是很大。
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| | | | | LLC的话确实会有比较特殊的状态需要这个快恢复二极管,不过如果没有也可以通过限制最低频率去解决,这么多年,至少在消费类产品上没人舍得用这个,仙童之前有类似产品,另外PFC未必不需要,CCM进去轻载非连续的时候也会有反向恢复的问题。
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| | | | | 在闭环回路中,Trr引起的延时会由回路补尝回来。
之前做过一些开环控制的电路,比较器有两百多纳秒的延时Trr也有200多,加起来就有0.5uS,所以影响很大的。
低压mos管Trr非常小,所以在DC-DC常见300K-1M的频率,而高压中很少见,主要的大多高压MOS Trr大多高于200nS以上,ST有一些Trr非常小的MOS管小到80nS ,但可能不好买。
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