| | | | | BYV系列是飞利浦上个世纪的产品,已经落后若干代了,建议(现在大家都)用SiC
D1A用啥都行,谁便宜用谁,而且建议接到硅桥正(或者把L3挪到桥前)。
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| | | | | | | 你在问哪个二极管?D1A是防雷击的。如果你确信你的应用环境没有(或者有另外的电路承担了)雷击,可以拿掉。
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| | | | | 根据你的问题,我也查了一下,得出D1A:
CRM PFC 用慢管,CCM FPC 用超快。
参资料如下:
(ON 公司的 CRM PFC +QR FLYBACK 芯片 NCP1937的参考设计 文件 DN05044)
和
(ON 公司的 CCM PFC 芯片 NCP1654的参考设计 文件 TND359)
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| | | | | 要想知道器件怎么选型,就要先弄清楚该器件的作用是什么。
这个D1A有人说是防雷击的,那是不对的。这个二极管的作用是在开机的时候,输出电压低于输入电压的时候,用来给L钳位的。防止开机瞬间L上的电流过大饱和而导致MOS击穿。当输出电压大于或等于输入电压的时候,该二极管就不工作了。
所以,该二极管选用低频大电流耐冲击就可以了。如果要遏制开机浪涌电流,最好在这D1A上串一个热敏电阻。
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| | | | | | | 开机瞬间VCC还没有建立,MOS还没有动作,即使击穿也是电压击穿,而电压的来源确有L(因瞬间电流过大)谐振的原因,但不仅仅只威胁MOS,硅桥、二极管也在被保护之列。就量级而言,雷击可能造成的电流与开机电流不可同日而语。
这个二极管也不是吸收浪涌电流的(抗浪涌NTC楼主已经放到保险后),而是吸收雷击功率的,它利用了输出电容的海量特性(电压不能突变)。
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| | | | | | | | | 开机瞬间Vdd还没有建立,要看输入电压与VDD电压的建立时间了,还有IC的启动电压;当输入电压足够高的情况下,VDD到达启动点的时候,电感没有完全退出饱和状态,你可以先去测试一下。正常的电压状态下,一般是不会的。
对于吸收雷击浪涌的功能,应该在电感之前更有效吧;如果正处于MOS导通的时候,雷击浪涌的到来,难道不会损坏MOS吗?也就是说,如果电源处于带电而MOS关闭(高阻)的状态,有几个产品是会被打坏的?也就是说,当MOS开通(低阻)的时候,这个二极管环能起到抗雷击的作用吗?
事实强过雄辩,一切只有去测试了,或者遇到了才能真正理解……
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| | | | | | | | | | | 这种措施是路灯电源仿雷击的主要手段,只要你的电源处于户外架空,不如此还真不行,不过这要经常被雷击威胁的人才能真正理解。
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| | | | | | | | | | | | | 建议李工去做个试验,如上图结构,使MOS一直在工作,然后按照标准做雷击浪涌测试,看看到底是哪个器件先坏掉。
户外路灯等产品的防雷技术有很多种,一般达到2.5KV以上4KV以下的,都是采用差模防雷,高于4KV都是采用差模+共模防雷,再高一些的都要加两级防雷,仅凭一个二极管也要想有效防雷,那简直是有点异想天开吧……
海纳百川,有容乃大,多听取大家意见应该没啥坏处。
回帖也好,探讨也好,需要建立在理论是实际的基础之上,理论的东西分析是可以的,但切不可以靠臆想……
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我也没看到哪个说那个二极管是用来抗浪涌、防雷的呀……
其他的我就不评论了……
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我也不喜欢与争强好胜之人强辩,没有意义,只会伤了和气……
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 看来我到成了争强好胜之人了,虽然已经特别注意了,不轻易说人家不对,不轻易建议人家去做实验,更不要说人家异想天开,主观臆断,也许是自己不懂呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵,我猜理解有误了吧,李工表达的意思不是说那二极管防浪涌和雷击,而是通过那个二极管将高压导入到后面的大电容上,通过电容的吸收浪涌电流来达到目的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 理解有误,当然是理解有误,关键是谁理解有误?你仔细看看六楼,是怎么说的,表达的那么清楚,难道是我误解?除非你们读的是另一种中文,有另一种解读。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵,晕菜啊,可能是我已经先入为主了,6楼的贴也没读出什么问题啊。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大家都怕说错而不表意见,这个论坛就没有存在的意义了,我理解出现对错也很正常,电子古董说的很好啊有容乃大啊。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 少说为佳的意思是避免有人不高兴你再说什么(本来已经消停几天了),免得大家不愉快。
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| | | | | | | | | 不管是开机的inrush电流还是雷击的surge电流,耐大电流是必须的,不能只看哪个便宜
雷击的时间短,能量等级未必高过开机的冲击电流;
8/20us的2000V/2欧姆差模,2V*1000A*8us=16mJ; 开机时30A冲击电流持续2ms,1V*30A*2ms=60mJ
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| | | | | | | | | | | 一般情况,越便宜的二极管电流耐量越高,或者说相同封装,越慢的二极管价格越便宜,或者再换句话说,同样5A的二极管,越便宜的脉冲电流耐量越高,这话没毛病吧?
需要比较的不是能量,而是电流,以及电流对电感可能的影响,这话没毛病吧?
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| | | | | | | | | | | | | 第一句没问题。
加了这个二极管之后基本就没有多少电流走电感那条路了,所以不用考虑电流及其对电感的影响;
加了这个二极管之后就要考虑它自己扛不扛得住瞬时的能量,很多选型不合理就导致这个二极管经常“不知道什么原因”就坏了;
我没听说过谁加了这个二极管还把电感和主功率管搞废的
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个二极管需要抗住的不是能量,而是电流,能量是电解在扛,E=0.5CVV,无论能量来至哪里,无论你算出来多少mJ。
你听说“很多”这个二极管经常“不知道什么原因”就坏了;但从来没听说过谁加了这个二极管还把电感和主功率管搞废的,这话有悖论哈。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 加了不合理二极管之后就是这个二极管坏,MOS管被保护了;不加这个二极管,就会有MOS管损坏的情况出现。这没有悖论吧?
主要的雷击能量是电容在扛,但串联支路上每个器件都会分走部分能量。
在开机瞬间或者雷击发生的时候:相较于保险丝、滤波电容和滤波电感,桥堆和这个二极管是除大电解之外能耗最高的器件。
桥堆已经是很慢很便宜的二极管在里面了,扛瞬时能量一般是更强的;这个二极管如果耐流不够就成了短板,因为二极管导通电压基本是固定的,电流*时间就对应了能量。大部分二极管的规格书都会给出一个电流vs时间的曲线,这个就是能量相关的。
当然非要扣的话,这个二极管选大一些,桥堆用小了就会干掉桥堆,大电容选小了扛不住就会干掉电容。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 悖论是:既然看见这个二极管经常损坏,那就应该经常观察到因为它的失效带来的后果,但你却从来没有看见过,难道即使它损坏了也从来不烧MOS?要它何用?
你提到:串联支路上每个器件都会分走部分能量,这是对的,但是我们设计这个电路的目的,恰恰是想办法最大程度地减少串联支路上每个器件分走的能量,让它最大程度地都集中到电容上去。唯一的原因就是这个电容能扛,而其它器件不能扛。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 表达有误:加了这个二极管,MOS不会单独坏。。。这个二极管坏了之后再上电干掉过MOS的。。。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 成本区别,此外快管耐量稍低,(电流和封装)可能须加大一到两档。
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