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未解决

40M-50M直接的辐射怎么解?

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信天翁
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高级工程师
  • 2019-3-1 15:29:59
10问答币
各位大侠,12V1A前面有共模,输出无共模,无Y。辐射40M-50M老是下不来怎么解。
1551425207(1).png
nc965
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版主
  • 2019-3-1 19:45:14
 
取消共模差模再看
信天翁
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高级工程师
  • 2019-3-1 19:53:54
 
不能取消共模,有雷击要求,换差模电感确实会好很多。
nc965
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版主
  • 2019-3-1 19:56:47
 
我只是叫你看看(在不打雷的时候)。现在也不需要看了,既然换差模好很多,那就算解决了。
langdno1
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高级工程师
  • 2019-3-1 22:42:16
 
李工,你好,请问下辐射测试时,30-100M位置,输入电压230V测试时余量20多db,120V时余量不足,垂直比水平差很多。怎样来整改好一点?谢谢李工。
nc965
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版主
  • 2019-3-1 23:47:37
 
电压的差别可以看成电流的差别,如果其他条件相同,也就是饱和的差别,而共模的饱和是差模成分所致,而其差模成分导致方向差别的可能较大,大致可以这样分析。
30~100M这个频率也可能找到对应的波形,可以看看波形有多大差别,反激的话看看钳位波形细节的差别,以及这个细节对应到副边的电流情况,但也不能排除副边电压波形。
Rain-upc
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本网技师
  • 2019-3-2 10:18:35
 
无Y电容,建议尝试增加铜箔屏蔽的方案 ,
信天翁
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高级工程师
  • 2019-3-2 11:09:37
 
现在成本压力那么大,这么小瓦数那敢用铜箔哦,现在变压器都是要求全自动化的。
BingSun
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副总工程师
  • 2019-3-2 11:18:22
 
您好!解决了没?最好有电路才好知道什么处理呀!
信天翁
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高级工程师
  • 2019-3-2 11:57:49
 
这是那电路图,不过前面用的是共模电感
06e8cc0fe83b1a76b8a2987f57c5876.jpg
06e8cc0fe83b1a76b8a2987f57c5876.jpg
信天翁
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高级工程师
  • 2019-3-2 11:59:56
 
这个是电路图
BingSun
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LV8
副总工程师
  • 2019-3-2 12:02:00
 
您好!没有看到电路图呀!
BingSun
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LV8
副总工程师
  • 2019-3-2 15:50:00
 
已经看到电路了,是集成MOS。
D极加个电容到地,应该就会下去,当然可能还有别的方法,如修改变压器参数等。
信天翁
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LV6
高级工程师
  • 2019-3-3 21:40:03
 
D极要加到33PF电容才有用,不过这损失效率太大了,而且会造成温度过不了。
BingSun
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LV8
副总工程师
  • 2019-3-4 10:39:29
 
对比一下效率差多少? 结合变压器参数优化可能会更好点。
Rain-upc
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本网技师
  • 2019-3-2 15:33:06
 
电源芯片是什么方案 的?
BingSun
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LV8
副总工程师
  • 2019-3-2 15:53:03
 
用示波器测下波形,看看有电路工作状态。
Rain-upc
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LV2
本网技师
  • 2019-9-25 18:52:02
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问题解决了吗?
BingSun
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LV8
副总工程师
  • 2019-3-2 11:21:05
 
这个频率段多由开关管开关时引起的,若不能在干扰源上下功夫,测在滤波上下功夫。从干扰源上处理有利于降低成本。
gooddouble
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LV8
副总工程师
  • 2019-3-2 11:26:37
 
修改吸收电路,驱动电阻等
BingSun
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LV8
副总工程师
  • 2019-3-2 11:57:21
 
修改吸收电路是个好方法,由于不清楚楼主用什么方案,要是集成MOS那就改不了驱动电路了。
cyx7610
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总工程师
  • 2019-3-2 20:29:07
 
接地的问题。
信天翁
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高级工程师
  • 2019-3-3 21:38:16
 
大师能说清楚点吗?那里接地要注意的?
edie87
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副总工程师
  • 2019-3-4 10:32:18
 
Y电压是多少?调屏蔽层的圈数,把Y电压调到1V以内VDD反绕,
VDD绕组并220pF的电容,
VDD的二极管换成快管
初级吸收二极管改为M7


BingSun
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副总工程师
  • 2019-3-4 10:36:50
 
1楼就说了无Y的。
信天翁
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LV6
高级工程师
  • 2019-3-4 10:41:19
 
Y电压1.04V,VDD已经并了102+22R,VDD是快管。
edie87
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LV8
副总工程师
  • 2019-3-4 11:01:33
 
那屏蔽层能否半圈半圈的调整?
VDD有没有反绕?次级有没有反绕
这种无Y的,只能试了,
变压器的线径也可以调,VDD,屏蔽最好是用双线,
Jack123321
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LV6
高级工程师
  • 2019-3-6 16:30:17
 
降低MOS开关速度,看一下地走线合不合理
BingSun
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LV8
副总工程师
  • 2019-3-6 17:04:50
 
您好!内置MOS,无法改驱动电阻呀!如何降低开关速度?
Jack123321
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LV6
高级工程师
  • 2019-3-6 17:09:27
 
之前碰到过类似频点案例,跟输出整理二极管有关,你换一个结电容小的或者速度快的试一下

in8818
  • in8818
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副总工程师
  • 2019-3-7 10:23:03
 
为什么非要无Y电容,害怕漏电?
in8818
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LV8
副总工程师
  • 2019-3-7 10:24:56
 
这样要求一般成本压力不大,变压器上下点成本,可以包铜箔。
信天翁
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高级工程师
  • 2019-3-7 11:55:41
  • 倒数10
 
现在这种瓦数成本压力非常大的。变压器试过加铜箔确实有效果,但是变压器成本立马上来了。
BingSun
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LV8
副总工程师
  • 2019-3-7 12:33:44
  • 倒数9
 
楼主您好,您的问题解决了没有?
Rain-upc
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本网技师
  • 2019-8-28 19:46:06
  • 倒数8
 
小功率电源太坑,成本压力太大
jgtkj
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本网技师
  • 2019-8-29 12:43:55
  • 倒数7
 
输出整流肖特基二极管换个电流大点的,就能降下来。
Rain-upc
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本网技师
  • 2019-9-23 15:37:54
  • 倒数6
 
输出整流二极管换一个大一点的?这是什么原理?
cmg
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版主
  • 2019-9-25 20:38:06
  • 倒数4
 
相当于D-S加电容
Rain-upc
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LV2
本网技师
  • 2019-9-28 17:53:02
  • 倒数3
 
输出肖特基二极管换成电流大的  —> 输出二极管并联寄生电容增加  —> MOS开关的时候,上升沿下降沿变缓。  从而改善辐射效果,是这样吗?
Rain-upc
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本网技师
  • 2019-9-28 17:54:29
  • 倒数2
 
您是 郭老师吧,久仰久仰~
wulana
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