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双N沟道mos buck电路上电烧mos

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z_y
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  • 2019-3-19 16:41:53
10问答币
大家好,48V转12V非隔离buck直流电路。现在把电子负载仪设定好满载上电测试会出现板子上其中一个mos(板子是两个mos并联开关)烧坏(N沟道G D S均导通了)的现象,把坏的mos换了再测就不会再出现问题。
我用示波器测良品mos DS电压最高是64V,低于手册标注的最高80V,栅极开启电压15V,低于手册标注的最高25V,mos开关的时间(上升沿和下降沿)够短,产品有限流保护,30A时电压会被拉很低9-10V。
请问该怎么去测量和分析??谢谢了。
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1.MOS的gate需要加下拉电阻; 2.两个MOS最好不要这样直接并联的,用电阻分开; 3.gate脚的驱动必须要有快速关断设计,最简单的方法就是用一个二极管(4148即可)反接;来降低关断损耗,你这个MOS的开启电流很大的
z_y
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LV6
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  • 2019-3-19 16:57:30
 
http://bbs.21dianyuan.com/thread-149372-1-1.html 这个帖子我也看了下,驱动上升的时间是不长
BingSun
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LV8
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  • 2019-3-20 16:29:57
 
楼主好!连接是不是放错了?
z_y
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  • 2019-3-25 14:49:55
 
哪里?电路是生产过的
电子古董
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版主
  • 2019-3-19 17:38:13
 
1.MOS的gate需要加下拉电阻;
2.两个MOS最好不要这样直接并联的,用电阻分开;
3.gate脚的驱动必须要有快速关断设计,最简单的方法就是用一个二极管(4148即可)反接;来降低关断损耗,你这个MOS的开启电流很大的
z_y
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  • 2019-3-19 21:04:12
 
谢谢 请问开启电流怎么看?
电子古董
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版主
  • 2019-3-20 09:47:15
 
这个需要隔离探头可以测试,也可以测试电感电流来测试;
一般通过计算功率和电感峰值电流都可以估算到的。
z_y
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  • 2019-3-26 08:46:44
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谢谢。怎么分析哪方面直接加载会烧管子吗?
z_y
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  • 2019-10-20 06:39:38
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降压需要加尖峰吸收吗?还是吸收只针对反激?
电子古董
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  • 2019-10-20 08:40:07
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非隔离电感上的能量是直接向负载泄放的,漏感非常小的,所以不用RC吸收。反激电源变压器上的能量是通过次级绕组向负载泄放的,同时初级也存在有反向脉冲,需要有RC吸收将尖峰电压吸收掉,否则会对挂在初级绕组上的(MOS管)元件损坏掉。
z_y
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  • 2019-11-5 16:48:16
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现在买电流探头了,抓空载上电电源输入端有尖峰电流15A.10ms,问一下这是什么原因?求指点。
电子古董
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版主
  • 2019-11-6 08:15:04
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开机瞬间MOS是直通的,输入端向负载端电容充电,充电电流=(Vin-Vo)/R(充电回路内阻),15A已经不错了。
z_y
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  • 2019-11-6 08:21:50
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是不是这个正常。不正常怎么解决一下?这个电流万一大了mos不就会发生烧通吗?
xkw1cn
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  • 2019-3-19 17:48:08
 
玩具而已。。。缺太多东西了。。。
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  • 2019-10-20 06:38:37
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有类似结构的电路分析贴吗?
z_y
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  • 2019-11-6 08:25:43
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版主你好,能完善一下,指点一二吗?
星宇
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  • 2019-3-19 20:15:29
 
为什么不直接把MOS放低端呢?
z_y
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  • 2019-3-19 21:04:50
 
怎么理解
星宇
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  • 2019-3-20 12:45:57
 
看我发的贴子吧!
cyx7610
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  • 2019-3-20 07:55:25
 
并联MOS不平衡,应该布板有问题。
BingSun
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  • 2019-3-20 16:31:18
 
满载是多大电流?有没测过MOS管有多热?
有没有电流波形可以参考?  谢谢!!!
z_y
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  • 2019-3-25 14:54:21
 
满载是25A 刚上电那下子管子还不热
BingSun
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LV8
副总工程师
  • 2019-3-25 15:05:59
  • 倒数10
 
那也就是说工作过程中会烧掉管子,有没则试电流波形?
z_y
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  • 2019-3-26 08:45:23
  • 倒数9
 
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