| | | | | 在电路设计上与我们常规电路有什么区别,还有峰值电流方式可行吗?2M的频率注定我们常规芯片都无法实现。
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| | | | | | | | | 2M开关频率,对布板要求很高,要防止干扰,最好用多层板来布线。
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| | | | | 主要是磁芯,多半得用空心线圈。芯片用数控即可,PFC又不需要多高的精度,PF八九不离十。
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| | | | | | | 空心线圈,感觉这个想法好大胆,要好好确认下有没有什么不妥。
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| | | | | | | | | 古代有一种短波天线磁棒,浅灰色甚至棕红色的,截一段塞进线圈看行不行。
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| | | | | | | 磁芯不是问题,应对高频化的到来,磁芯厂家早就准备好了。
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天通
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日立
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| | xkw1cn- 积分:131400
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- 帖子:55626
积分:131400 版主 | | | 卖了那么长时间关子都不出实锤,当心被泊冷水。。。
加紧啦!
提个小问题,2M APFC的价值在哪里?
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| | | | | | | 价值在哪?
GaN是否会便宜得与MOS一样????几年前有人说从工艺上看,一定会便宜很多。
用更小的电感,实现更大功率,不但体积小巧,成本也有优势。
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| | | | | | | | | 我们的GaN有人做过1M,因为没有2M的控制器,管子本身没问题
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| | | | | | | | | | | | | | | 有兴趣测试用而已,什么公司呀!拿个样片还签协议?
主控我想用STM32F334,或者PIC12F752
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯!不知道还有没有其它公司有?
TI的不知道方便拿到样片不?
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| | | | | | | | | 1M 的CRM PFC
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1M频率PFC,DSP控制的
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| | | | | | | | | | | 就目前来说还必须用单片机或DSP做控制,时机成熟后专用芯片也就出来了。
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| | | | xkw1cn- 积分:131400
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- 帖子:55626
积分:131400 版主 | | | | | 53X53mm貌似也没小啊。。。
看用铁氧体磁芯做的PFC电感。如果磁密最高2500Gs,那么;仅从磁芯讲;16000Gs高密铁芯(如NPH系列)工作于45k就可以达到同样功率密度。
如此;高速MOSFET工作于45kHz与GaN工作与300k~1M;谁更有优势呢?
仅技术讨论。。。
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131400
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- 帖子:55626
积分:131400 版主 | | | | | | | 都把辅助电源和控制都弄成插装子板了。。。貌似吃奶劲都用在提高密度上。
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131400
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131400 版主 | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | 频率提高了,自然电感就小了,成本也就降了,这也是关键。 |
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131400
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- 帖子:55626
积分:131400 版主 | | | | | | | | | 拉门后好好批评!
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131400
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- 帖子:55626
积分:131400 版主 | | | | | | | | | 谁告诉你频率越高电感越小啦 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是的,但我认为最终变压器,PFC电感成本都会因此下降。
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| | | | | | | | | | | | | | | 现在的重点还是GaN还有没成熟!!!搞点样片都难。
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| | | | | | | | | | | | | 如35楼所述,你散热工程占了一半以上,尚可自称高功率密度
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| | | | | | | | | | | | | | | 当开关损耗与导通损耗变得很小时,发热量自然会小很多。
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131400
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- 帖子:55626
积分:131400 版主 | | | | | | | | | GaN的效率98.5%;传统的效率98.6%。。。 。。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 条件不一样只比较效率没有意义,你把传统的效率98.6%的MOS管(假设用MOS管的,如果用IGBT的换碳化硅)换成同等内阻的碳化硅,效率肯定超过98.6% |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不清楚 xkw1cn 版主为何一直纠结这个问题呀!
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| | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131400
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131400 版主 | | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 高频化并不会提高效率(因此散热器大小不会改变),但其它元件可大幅度减小体积,这样散热工程占比就显著提高,是谓高密度电源的本质。都看不见你的散热器踪影,何来高密度电源之说?
这个才是高密度电源,满眼都是散热器
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 对,频率提高了很多,效率不降低就可以提高功率密度。 |
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| | | | | | | | | | | 压制45k频率的EMI和300K频率的EMI公模电感的体积差别可不是一点点,要看综合的。
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131400
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- 帖子:55626
积分:131400 版主 | | | | | | | 相当分布参数下;高dv/dt、di/dt只能招致更高噪音,频率越高;噪音毛刺越密,噪音能量越大!貌似比较有困难啊!
既然已有实物;又在推,GaN烦郭版测下;再对比下滤波器大小;也好有个感性认识。
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个是PI的150W PFC+LLC电源,共模9mH,频率最高100K左右,我们有一个300W, 300K 频率,共模2.5mH
至于为什么这样,可以看杨波的LLC博士论文,里面理论写的非常清楚,本网可下载
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131400
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- 主题:37517
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- 帖子:55626
积分:131400 版主 | | | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 传导是小些,但速度快,频率高辐射难处理,可是辐射不需要大体积的东西。
所以如果电源的功率很小,虽然变压器小了,由于辐射的东西占地方,所以总体积不一定小,但功率大了由于变压器缩小占整个体积的比例比较大,整体体积就下来了。
大概以45W为界吧。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 也就是说辐射是个头痛的问题。
有没可能在布板,变压器,上下功夫,可以更好的解决?
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“共模9mH,频率最高100K左右,我们有一个300W, 300K 频率,共模2.5mH”
到了1-2M应该可以用更小的电感。
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| | | | | | | | | | | | | 这个确实是个大问题,GaN的速度非常快,高密度意味着元器件距离很近,近场耦合相当严重,需要谨慎处理
已经解过几个适配器的EMI,很难但是能解决,需要很多新的技巧
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 以前看很多板子有个铁罩,那部份都是高频的,以后电源部份看起来也会是这样子的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 另外设计为单级反激PFC也许是个好方法,控制也简单些。
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| | | | | 因为频率比较高,DCM模式应该最简单,其实是QR模式,CCM的话还没想到有什么好方法。
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