| | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | 正常,但给出得信息太少,无法确定这个正常波形产生得原因。
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| | | | | | | 为什么是正常的?通常波形不是应该像第一幅图吗?有个中间平台。
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| | | | | | | | | 那要看你的死区设置的是多少了,如果没有设置死区就没有平台
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上图是初级4个MOS管的驱动波形,是定0.3占空比的。
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| | | | | | | | | 另外,我发现一个问题,你的输出整流电路有没有接,如果变压器副边开路的话,原边波形是没有平台的
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电路图和上图类似,次级MOS管没有加驱动,通过体二极管整流。
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| | | | | | | 我想不通,为什么在上MOS管都没有导通的时候,变压器绕组电压为什么还能冲到Vin?
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | | | 你看一下你第一个图,关断瞬间还是有一个尖峰到达了最高值,不过又衰减了下来,后面得尖峰持续时间越来越长,最后只不过是一直处于震荡,没有衰减下来而已,是通过MOS管体二极管导通,而不是MOS管导通了。
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| | | | | | | | | | | 是的,次级MOS管没有加驱动,确实是通过体二极管整流。为什么会出现这样?
我想不通威慑么红色框框部分,会达到Vin,而不是理论上的Vin/2.
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| | | | | | | | | | | | | 因为死区时间内初级励磁电感电流会保持原有方向续流从而导致MOS管体二极管导通,如果上管的体二极管导通,变压器绕组电压自然就是VIN,理论上的VIN/2是在静态下分析的结论,如果你的死区足够大,励磁电流小,死区震荡完成后会到VIN/2的位置。
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| | | | | | | | | | | | | | | 您的意思是我的励磁电流太大了,由于我现在是空载,可以可以把输入电流的值理解成变压器的励磁电流值呢?事实上,这个异常状态时,输入电流值确实偏大。
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| | | | | | | | | | | | | | | 如果我想把励磁电流搞小,是不是只能增加变压器初级绕组的感量?
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| | | | | | | | | | | | | | | 多谢大神指点!
确实是励磁电流的问题。
我测试了开发板的励磁电流,如下图:
绿色是空载时,变压器初级电流,最大值2A。
我又测了我的样机的励磁电流波形,如下:
励磁电流高达8A!
我又测试了两个变压器初级感量,一个24uH,一个2uH。
确实是变压器的问题,导致励磁电流过大。
谢谢指点!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 励磁电流好像没有办法直接测出来,如果你测的是初级电流那就是负载电流和励磁电流之和,建议你把电路图贴出来,另外工作频率,负载,你的初级感量是怎么定的?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 因为是在空载下测得,所以图中电流认为大部分是励磁电流。问题也确实是励磁电流,变压器在组装过程中,被撬开了一个缝,感量从20uH降到了2uH,更换了变压器,就好了。
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| | | | | | | | | | | | | 哪有Vin/2这样的理论,全桥MOS的电压应力就是Vin,与双管正激一样
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| | | | | | | | | | | | | | | 就是初级管子都关断时,半桥MOS管中间节点电压为Vin/2.
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红色框框那部分是次级二极管整流引起的吗?确实比Vin高1V左右。可是我这是在空载下运行的,应该是断续吧?
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我想象中的波形应该是类似图中黄色的样子,弄不懂为什么会出现红色框框中的蓝色那一段。
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | | | | | | 你得副边,电感续流没有续流二极管,是通过变压器副边续流的,这估计就是原因。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我没有懂,是指变压器次级电流反射到初级吗?次级确实是断续的,没有加同步整流。
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | | | | | | | | 是续流二极管,不是同步整流,你看看正激类电路副边的典型结构是什么样子的吧。
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