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两种沟道MOS管电路的问题

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shaorc
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LV8
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  • 2019-5-10 20:48:58
30问答币
如图下
用NMOS和PMOS当做防止电源反接的保护电路
【1】其中PMOS管的电路图好理解,对于NMOS管的电路图(最上面一个图)
输入Vin是直接连在其栅极处,但是MOS管的Vgs是有限度的,如果输入电压Vin过大是不是就不能采用NMOS管来做反接保护?
而PMOS管就没有这样的问题,但是PMOS管的导通内阻Rds又大于NMOS管。

【2】两种沟道的MOS管防止反接电路中,都在栅极处加上电阻,起到什么作用?

【3】既然两种沟道MOS管防止反接电路,都利用了MOS管自身的寄生二极管的导通作用
那么在图中最下方的推挽输出拓扑中,没有考虑寄生二极管的作用呢?
在H全桥拓扑中,只把与MOS管并联的二极管当做续流的作用来看待?
1.jpg

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P_MOSFET与N_MOSFET一样都有Vgs耐压问题。一般是要求小于20V, 解决方法一般是G与S间并联一个12V的稳压管钳位。G脚串联电阻与GS间结电容形成RC滤波作用,保护MOSFET免于静电或瞬态电压浪涌引起的损坏。 H桥电路中的MOSFET体二极管是否有作用,要根据实际电路而分析。第3图下MOSFET体二极管方向反了。。。 ...
huangxvyao
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  • 2019-5-11 11:28:04
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输出电压高的时候,可以先进行分压,再取电压去驱动NMOS。
huangxvyao
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高级工程师
  • 2019-5-11 11:40:40
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G极加电阻,按照你这个电路,就是限流的作用。正常来讲,都要先进行分压再取合适的电压到G极,来驱动MOS管。另外,也不是依靠体二极管来导通,是要依靠驱动去导通MOS,MOS不导通,依靠体二极管,损耗得多大。MOS管导通后,电流由S到D(Nmos),和体二极管并联,很少电流会从体二极管流过,都是从s到d流过。
shaorc
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LV8
副总工程师
  • 2019-5-13 11:38:06
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另外,也不是依靠体二极管来导通,是要依靠驱动去导通MOS,MOS不导通,依靠体二极管,损耗得多大。

先谢谢谢你的回答,如本楼顶部的引用,是您的部分回复,有以下疑问追问一下
如图下,在PMOS防反接的电路中
如果极性连接正确,PMOS是会导通,然而PMOS的导通条件是Vs>Vg,即图中PMOS的右端电压S极电位大于栅极电位
然后Vs通过电阻R1、R2串联分压,R2上的电压为Vg电压,小于Vs,使得PMOS导通。
这个原理实现的前提不就是因为,正确上电的时候,Vin通过体二极管导通使得Vs等于Vin-0.7V吗?
那为什么说不是依靠二极管导通?
1.jpg
huangxvyao
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最新回复
  • 2019-5-13 11:55:02
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我理解错了你的意思。是要通过体二极管,Pmos才能开通。
huangxvyao
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高级工程师
  • 2019-5-11 11:49:09
  • 倒数5
 
第三个图也是一样的道理。mos导通后的Rds远远小于体二极管的内阻,基本上电流不会经过体二极管,都是流过mos。 MOS管体二极管相当于普通二极管, 反向恢复很慢。
deep_thought
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副总工程师
  • 2019-5-11 17:04:36
  • 倒数4
 
P_MOSFET与N_MOSFET一样都有Vgs耐压问题。一般是要求小于20V, 解决方法一般是G与S间并联一个12V的稳压管钳位。G脚串联电阻与GS间结电容形成RC滤波作用,保护MOSFET免于静电或瞬态电压浪涌引起的损坏。
H桥电路中的MOSFET体二极管是否有作用,要根据实际电路而分析。第3图下MOSFET体二极管方向反了。。。




古通88
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高级工程师
  • 2019-5-11 17:23:01
  • 倒数3
 
首先,最上面的图和最下面H桥图里的Nmos中二极管画反了。接着回答你的问题:
1.如果VIN过大,自然就不能用来做反接保护,除非更换更大耐压的管子。
2.接电阻是起限流保护和连接作用。
3.最下面H桥图中的二极管在上管开通比下管关断速度慢的时候,在全桥拓扑时候上管Pmos的二极管是会有续流作用。

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