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MOS管在保护电路中反接的讨论

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shaorc
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  • 2019-5-13 14:29:20
20问答币
如图1,一个PMOS管参与的过压保护电路
采用稳压管VT1为5.1V稳压,这样可以将电路的过压保护点设置在5.8V
但是自己有如下问题
【1】如果将图1的PMOS管反接,即DS极反接,成为如图2所示。
那么在电压上电时,Vin岂不是可以通过PMOS的体二极管直接导通到Vo?就达不到过压保护的作用了?
【2】图1的电路是不是即是过压保护电路,也起到防止电源Vin反接的作用?
【3】在图1中,若输入电压在0-5.1V之间时,PNP是不导通的,那么从Vin经过A点到PNP发射极的电压,一直等于从Vin经过R1、R2送至PNP基极的电压吗?

【4】电阻R1的作用是稳压管VT1的限流电阻,电阻R2是为PNP门极限制电压所用,电阻R4是PMOS管栅极所必须的串联电阻,为栅极限制电压,R4有没有和GS间电容组成LC滤波电路的作用?同时R3的作用是什么呢?

1.jpg 图1


2.jpg   图2


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图1不是电源反接保护电路,反接的话,通过体二极管导通了(前面不是发了帖子讨论反接了?体二极管是这样接的?)。图1理论上是行得通的,输入大于5.8V,三极管饱和导通,MOS管栅极高电位,不导通,切断电路。 R3的作用,应该是增加可靠性,防止受影响,在悬空状态的话,容易受电位影响,误导通,加上可以有效截止。 ...
huangxvyao
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  • 2019-5-13 16:36:14
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图1不是电源反接保护电路,反接的话,通过体二极管导通了(前面不是发了帖子讨论反接了?体二极管是这样接的?)。图1理论上是行得通的,输入大于5.8V,三极管饱和导通,MOS管栅极高电位,不导通,切断电路。 R3的作用,应该是增加可靠性,防止受影响,在悬空状态的话,容易受电位影响,误导通,加上可以有效截止。

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shaorc
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  • 2019-5-15 09:03:58
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追问几个问题
因为PNP要饱和导通,所以可以确定R4和R2,
而且电路保护起作用时,比如输入达到12V时,PNP管已经导通,流过R4的电流等于(12V-0.7V-5.1V)/R2,是这样计算吧?这样可以得出一个PNP的基极电流
接着计算R4上的电流 为(12V-0.7V)/R4,这又是一个电流,为PNP集电极电流

那么算出的基极电流乘以PNP的放大倍数后,是要大于,还是小于算出的集电极电流,才算是饱和导通?
因为这关系到R2和R4的取值范围

在就是R3怎么取值?
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