MOS死区时间是否会被电感感性电压击穿-综合电源技术-世纪电源网社区

mini_coco

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2019-5-20 22:56:18

10问答币

最近在研究连续可调DC-DC变换拓扑电路，得知四开关buck-boost是个不错的选择。但是我在研究的分析的时候有个疑问。假设电路工作在传统工作模式下，波形如下图。那么问题来了，在Q1，Q3和Q2，Q4切换的时间里面，也就是死区时间里，电感不会因为电流突然下降导致电压上升到无限大么，在硬件开关情况下会击穿空气释放能量，那在这里为什么不会击穿MOS管呢？

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nc965

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你把MOS体内二极管画上就知道了。

		2 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93572 \| 主题：115 \| 帖子：27329 访问空间发消息积分:93572 版主 2019-5-21 08:03:12 倒数5
		你把MOS体内二极管画上就知道了。回复 \| 举报 \|

			3 mini_coco mini_coco 离线 LV3 助理工程师积分：285 \| 主题：4 \| 帖子：27 访问空间发消息积分:285 LV3 助理工程师 2019-5-21 14:45:32 倒数4
			哦哦，加上二极管确实没问题了，那请问如果用普通的不带内部二极管的场效应管就会被击穿吧，还有就是这种情况下电感的感生电动势是不是会无穷大呢？回复 \| 举报 \|

				4 st.you st.you 离线 LV10 总工程师积分：16732 \| 主题：8 \| 帖子：3787 访问空间发消息积分:16732 LV10 总工程师 2019-5-21 15:29:07 倒数3
				不带二极管那是不普通的MOS，花钱也难找。回复 \| 举报 \|

					5 mini_coco mini_coco 离线 LV3 助理工程师积分：285 \| 主题：4 \| 帖子：27 访问空间发消息积分:285 LV3 助理工程师 2019-5-21 15:54:23 倒数2
					FET呢回复 \| 举报 \|

						6 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109861 \| 主题：142 \| 帖子：45922 访问空间发消息积分:109861 版主最新回复 2019-5-21 15:56:39 倒数1
						那就外并二极管。回复 \| 举报 \|

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