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未解决

自举型驱动关闭IGBT的米勒效应的避免

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jacksaon
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本网技师
  • 2019-6-11 17:26:49
10问答币
在之前的设备上,使用的是在C-G 之间添加R-C 组合,电阻是10R,电容是220pF ,以及一个二极管来解决米勒效应;驱动芯片是A3120 ,使用的是自举形式的驱动替代了正负电源形式,简化设计。

请问使用R-C +二极管组合的依据是什么,有没有具体的文档


英飞凌的解决方案是下面钳位的方式,这个的选型依据有吗?
提问1.png
提问题2.png
nc965
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  • 2019-6-11 17:35:51
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翻译水平有问题,读不通。
jacksaon
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本网技师
  • 2019-6-11 17:37:57
  • 倒数4
 
是的,我水平比较渣,表达的意思应该是明白的吧,大神
nc965
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  • 2019-6-11 17:40:14
  • 倒数3
 
英飞凌的解决方案是对的,大家都在用,应该也不是英飞凌的。还有其他解决方案,常见的二极管并电阻、负压等,但你提问1的方案应该没什么用。
jacksaon
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本网技师
  • 2019-6-12 16:11:29
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我觉得提问1 也是不靠谱的,但是之前的设备也在使用,我是真理解不了保护的策略;我现在也是推荐提问2 的保护方式,不过驱动芯片决定用FOD8316 ,使用外置的有源米勒钳位实现
nc965
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最新回复
  • 2019-6-12 17:03:10
  • 倒数1
 
如果是IC芯片驱动,它内部已经有提问2类似的电路(或机制),因此也不适宜(没必要)。提问2的电路适宜于没有负压(被钳位到0V)的变压器隔离驱动。
所有这些电路都不是在保护什么(也保护不了),而是提高驱动效率(有效性)所需。保护是另外的话题(电路)。
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