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讨论 GaN 设计赛

100W 的充电器,用单端反激,古老的结构+新器件能碰撞出啥?

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tanb006
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实习版主
  • 2019-6-15 00:06:24
样品上周收到,无奈工作实在太忙,

先晒一下收到的宝贝。
QQ图片20190615000131.jpg
根据GAN的特性,
预计频率设置到200--300K左右,
可以尽量的降低磁性元件的尺寸,
以及减少很多铜损。
这几天正在选扁平磁芯。
以及特殊的线材,
采用无骨架线圈,
嗯,应该能缩小很多体积。

BingSun
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总工程师
  • 2019-6-17 00:11:57
  • 倒数4
 
200-300K就没有什么意义了,普通的MOS就可以做到

所以高频是必须的的,我本来想做2M的,算来算去其它器件不太好选择,所以想做一个1.2M左右。

另外我还不清楚如果做单端反激硬开关与QR这两种械式效率上会有多大差别?
tanb006
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实习版主
  • 2019-7-18 23:24:12
  • 倒数2
 
实际上我考虑的更多的是初级IC的上升斜率和最大频率的问题。想用基础器件来做一套,把普通的MOS替换成GAN,这样来对比下的。
所以,频率也选在了能够用普通MOS替换的情况下。首先会便于调试,其次可以直观的有个对比。
世纪电源网-九天
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超级版主
  • 2019-7-4 11:53:19
  • 倒数3
 
多多更新进度内容哦~
tanb006
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实习版主
最新回复
  • 2019-7-18 23:35:02
  • 倒数1
 
这些天考虑了很多,
最终定了以下主要内容:
反激结构,
变压器用平面变压器,
频率根据磁芯的Ae计算出大约在380K。
这样次级是2匝,输出20V,辅助绕组1匝输出10V---12V范围。
频率不能再提升,匝数已经不能再小了。
次级使用120V的MOS做同步整流,输出电流5.5A。
PFC也用平面磁芯做电感。
次级使用同步整流输出20V5.5A。后面再DC-DC输出5---20V电压。
后级DCDC使用扁平铜线电感和贴片电容,都为了减小尺寸。
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