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讨论 GaN 设计赛

2019纳微半导体GaN功率IC设计大赛,芯片已收到

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笑嘻嘻liuqi0310
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LV6
高级工程师
  • 2019-6-16 11:56:00
高功率密度PD65W单口充电器
方案简介:
功率部分采用AFC拓扑,协议采用PD控制器来进行设计,目标功率密度大于30W/in3
规格参数:
输入电压:AC90-240Vac,50/60Hz
输出功率:65Wmax
输出电流:Type-C单接口,5V3A/9V3A/15V3A/20V3.25A;
相关保护:OCP、OVP、SCP
应用领域:笔记本、手机充电器
主控UCC28780
目前正在设计,敬请期待!!

>>>>更多大赛细节请跳转这里:https://bbs.21dianyuan.com/thread-313221-1-1.html
>>>>作品设计报告:

2019纳微半导体氮化镓功率IC设计大赛--刘奇.pdf

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pole123
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LV2
本网技师
最新回复
  • 2019-6-16 21:25:24
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good !!!
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