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讨论 GaN 设计赛

氮化镓65W PD(Type-C)充电器

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红尘笑客288
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高级工程师
  • 2019-6-28 15:59:51
2019 纳微半导体氮化镓(GaN)功率 IC 设计大赛
初步方案简介:
方案名称:65W反激,准谐振,有源钳位  PD(Type-C)
拓扑结构:有源钳位反激(ACF);
控制方式:AC侧使用具有高频驱动的IC,DC侧使用PD协议控制IC

规格参数:
输入电压:90-264V
输出功率:65W
输出参数:15V/3A 12V/3A 9V/3A 5V/3A



电源网的GaN到了,好好撸撸

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世纪电源网-九天
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超级版主
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林米米
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  • 2020-4-29 22:59:33
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待更新,这个设计应用未来比较火热。
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