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单管正激开机瞬间炸机

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huangxvyao
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副总工程师
  • 2019-7-1 14:22:18
10问答币
100.png 101.png 3845做的12V30A单管正激,Mos用的14N65。一直存在有小部分在开机瞬间炸机问题,mos击穿,C13炸开(并联在DS上的电容,用的472/2KV),还有Mos没有击穿,而C13炸开,2KV的电容,不知道怎么炸开的。当时用示波器抓开机瞬间Mos的DS波形,瞬间启动,尖峰最高有700V左右(用的别人的示波器,自己示波器还抓不到瞬间波形)。有什么简单方法可以减少这种不良率?mos改用更高耐压的话,考虑到成本,就没有用这个方法。大佬们,帮忙分析分析!

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如果确认启动是DS尖峰有超高的现象应该确认一下MOS管电流:1,启动时电流应该会顶到限流值,关断时的尖峰和MOS电流的关断点关系很大,你可以先测试一下启动时MOS电流尖峰和满载正常工作时的电流峰值比较一下,如果相差比较大可以适当加大CS电阻,减小启动时的电流过冲,DS过冲尖峰就会降下来,同时不会影响正常工作满载。 2,变压器确认下复位自绕组的绕法,最好是复位绕组和主绕组双线并绕,可以提高耦合度,减小漏感。 3,芯片部 ...
huangxvyao
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LV8
副总工程师
  • 2019-7-1 14:27:44
 
刚问了供应商,CS电阻0.15R氧化膜电阻是有感电阻,改用无感的话,应该会有改善吧。现在没有好的示波器,也抓不到瞬间波形。
qiuyuqiang01
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高级工程师
  • 2019-7-1 15:17:15
 
如果确认启动是DS尖峰有超高的现象应该确认一下MOS管电流:1,启动时电流应该会顶到限流值,关断时的尖峰和MOS电流的关断点关系很大,你可以先测试一下启动时MOS电流尖峰和满载正常工作时的电流峰值比较一下,如果相差比较大可以适当加大CS电阻,减小启动时的电流过冲,DS过冲尖峰就会降下来,同时不会影响正常工作满载。
2,变压器确认下复位自绕组的绕法,最好是复位绕组和主绕组双线并绕,可以提高耦合度,减小漏感。
3,芯片部分想办法加长软启动时间,同样可以降低启动冲击电流
另外CS电阻是否无感会影响采样,另外也可能产生过高负压导致芯片损坏。至于电容的损坏,有点像是大电流冲击导致

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huangxvyao
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副总工程师
  • 2019-7-1 15:44:00
 
感谢,先尝试下增大CS电阻,这款没有复位绕组,用的RCD嵌位。
charlescha88
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高级工程师
  • 2019-7-3 10:17:18
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这个电源是准备卖30块含税包邮的吗
nc965
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  • 2019-7-1 15:22:17
 
晒电路图吧,否则不知所云。
huangxvyao
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副总工程师
  • 2019-7-1 15:38:04
 
01.png
nc965
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版主
  • 2019-7-1 15:42:15
 
这个电压等级不宜做单管正激,必定炸机,要吗换成1000V器件,要吗反激。
wangdongchun
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LV10
总工程师
  • 2019-7-1 20:06:07
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典型的元件耐压参数选择不当造成的  如果楼主要进行维修的话建议彻底查一下MOS管关联元件的性能
anthony
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  • 2019-7-1 17:45:19
 
请上原理图,如果是国内的PC电源功率MOSFET的耐压估计不够,炸机瞬间的电压与电流波形有没有观察到?
huangxvyao
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副总工程师
  • 2019-7-1 18:38:58
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原理图在5楼了。做的是LED电源。炸机瞬间的波形就没有。就是抓好的机子波形,空载启动瞬间,DS尖峰达到了700V。如果是带载的话,尖峰就没那么高。另外DS并的电容炸飞,可能就是楼上有位工程师说的那样,冲击电流造成的,该电容耐压2KV,只能是电流过大炸烂的。
farmer
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高级工程师
  • 2019-7-1 18:37:33
 
1.MOSFET反向电压选择不合理.一般带复位的正激结构,VDS 大致=2*VIN+V漏感   按输入230V电压,=230*1.414*2 =650V。还不算漏感引起的振铃。
  有源钳位VDS = VIN x 1/(1-D),按0.5,也与此相差不远.
2.MOSFET DS间并联4700PF,按照 MOSFET关断再开通,假定U=500V,周期30uS,电容交换能量功率为1/2*C*U^2 /T .=0.5*4700PF*(10^(-12))*500V^2/(30us*10^-6) .
  交换功率大致在20W,电容不热才怪.
3.电容钳位,降低VDS,导致电容发热,电容裂失容,VDS少吸收,VDS上升,超出VDS,暴.
电容不裂,电容对MOSFET N结充放电,也会导致MOSFET发热,增加损坏风险.




huangxvyao
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LV8
副总工程师
  • 2019-7-1 18:58:07
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感谢回复!
MOS耐压是考虑到成本问题,正常启动后,DS波形大概560V左右。另外你这个并联DS电容算法应该是有问题的,20W的功率,不可能这么大,损坏也是开机瞬间就坏了,如果正常启动后老化几天都没有坏电容。原本用的是222/2KV,看到一些资料,说增大容量可以降低DS尖峰,才增大了容量,也看到别人用过472。
charlescha88
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  • 2019-7-3 10:15:51
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人才,别的没什么可说
charlescha88
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专业,给你点赞!
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副总工程师
  • 2019-7-2 10:51:05
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分2种情况分析:  开机空载,   如果开机空载  炸机,这与尖峰无关。 输出无电流情况下,尖峰很小。达不到MOS极限。                    

带满载开机: 带载开机炸机,也可以拿到尖峰数据,从小载到大载慢调,就可以拿到尖峰数据



从楼主都拿不到尖峰数据情况下,炸鸡,应该是空载炸鸡。观摩一遍电路图,从细节上判断。首先要调整是电路细节不合理缺陷。比如TL431电源电压环,431电路 采样两端在L1电感之外,而且D4并联在431两端目的是什么?,开机初期,L1感抗+D4是否会影响输出响应。会不会是开机占空比由这个原因失控。可以调换L1位置试试。正激输出电感放正端和放负端都可以,431采样在电感之外,本人没有这样做过。
从吸收的角度分析:DS电容直接并联222容值,这么大容值会不会给MOS管带来的急促的开关电流。
上面所说的2个问题LZ可以去用常规的方式纠正。

正反激电路,大家都看了不少。常见的电路一般是比较合理的设计。 只要没有离谱的特别变化。 一般不会有什么严重问题,在工作稳定这前提下,去优化尖峰,效率这才是正道。在正常工作的电源身上去摸索优化过程,才能感悟经验。  

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huangxvyao
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副总工程师
  • 2019-7-2 14:59:18
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感谢回复,mos尖峰就是空载开机测的,瞬间700V左右,还是做IC的FAE带了几万的示波器,过来现场测的。带载情况下,满载,DS尖峰并不高,600V都不到。431环路,正激几款机子都是这么用的,还没发现有问题。目前想到的办法就是按照3845手册,增加软启动电路。
能源消耗
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LV8
副总工程师
  • 2019-7-2 16:23:57
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好吧。你自己摸索吧。别人的建议是可听,可不听。
huangxvyao
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LV8
副总工程师
  • 2019-7-2 16:29:03
  • 倒数4
 
感谢回复,建议最终都是以实践来检验的,真实测试的为准。
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