初步方案簡介:本次選擇100+C+C+A方案進行設計,設計將採用ACF作為主架構,盡量減少體積,效率提高,提高功率密度
規格參數:
輸入電壓:90-264Vac
輸出功率:100W
輸出電流:3Amax
保護機制:OCP、OVP、OLP、短路保護
應用領域:AC-DC領域
正在規劃設計中,敬請期待!!
樣品:
心得:
很榮幸這次有參與Navitas比賽的機會,讓我們有機會可以使用到貴公司GaN氮化鎵元件,在設計上使得體積可以更加縮小,低RDS(ON)、低QG、開關速度比其他矽元件來得快,使得效率與功率密度更加提升。在測試的過程中即使溫度高達100度,元件也沒有任何問題,其可以承受的溫度是很高的。最後感謝主辦單位讓我們有機會可以參賽,讓我們可以增加更多的實務經驗。
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