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分享论文:《GaN基电力电子器件关键技术的进展》

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世纪电源网-SUN
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LV6
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  • 2019-7-22 14:19:00
      氮化镓GaN(gallium nitride)材料非常适合应用于高频、高功率、高压的电子电力器件当中。目前,GaN功率电子器件技术方案主要分为Si衬底上横向结构器件和GaN自支撑衬底上垂直结构器件2种。其中,横向结构器件由于制造成本低且有良好的互补金属-氧化物-半导体CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)工艺兼容性已逐步实现产业化,但是存在材料缺陷多、常关型难实现、高耐压困难以及电流崩塌效应等问题;垂直结构器件能够在不增大芯片尺寸的条件下实现高击穿电压,具有非常广阔的市场前景,也面临着材料生长、器件结构设计和可靠性等方面的挑战。基于此,主要针对这两种器件综述介绍并进行了展望。

欢迎大家下载学习:
      GaN 基电力电子器件关键技术的进展.pdf (2 MB, 下载次数: 15)
c0sm0s
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LV6
高级工程师
  • 2019-7-28 23:28:22
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好资料    谢谢分享                 
wxchen1114
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