分享论文：《六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究》-综合资料下载-世纪电源网社区

世纪电源网-SUN

世纪电源网-SUN
离线
LV8
副总工程师

积分：2025
|
主题：76
|
帖子：236

积分:2025

LV8

副总工程师

2019-7-22 15:27:48

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，具有优异的材料物理特性，更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程，以及考虑到大尺寸、低成本等优势，在Si衬底上进行GaN材料的异质外延及器件制备已经成为业界主要技术路线。详细介绍了在6英寸Si衬底上外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构功率电子材料，以及基于6英寸CMOS产线制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常关型Cascode GaN器件的相关成果。

欢迎大家下载学习：

六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究.pdf (1.8 MB, 下载次数: 13)

作者	单位	E-mail
何亮	中山大学电子与信息工程学院，广州510275 江苏华功半导体有限公司，苏州215215
张晓荣	江苏华功半导体有限公司，苏州215215
倪毅强	中山大学电子与信息工程学院，广州510275 江苏华功半导体有限公司，苏州215215
罗睿宏	江苏华功半导体有限公司，苏州215215
李柳暗	中山大学电子与信息工程学院，广州510275
陈建国	深圳方正微电子有限公司，深圳518116
张佰君	中山大学电子与信息工程学院，广州510275 江苏华功半导体有限公司，苏州215215
刘扬	中山大学电子与信息工程学院，广州510275 江苏华功半导体有限公司，苏州215215	liuy69@mail.sysu.edu.cn

论文出处：中国电源学会——电源学报

http://www.jops.cn/dy/ch/reader/view_abstract.aspx?flag=1&file_no=201902280098&journal_id=dy

收藏0

		2 hello521 hello521 离线 LV10 总工程师积分：14267 \| 主题：67 \| 帖子：1052 访问空间发消息积分:14267 LV10 总工程师 2019-7-22 18:01:46 倒数3
		谢谢分享！！回复 \| 举报 \|

			3 世纪电源网-SUN 世纪电源网-SUN 离线 LV8 副总工程师积分：2025 \| 主题：76 \| 帖子：236 访问空间发消息积分:2025 LV8 副总工程师 2019-7-23 10:38:58 倒数2
			回复 \| 举报 \|

				4 c0sm0s c0sm0s 离线 LV8 副总工程师积分：2662 \| 主题：0 \| 帖子：665 访问空间发消息积分:2662 LV8 副总工程师最新回复 2019-7-27 17:01:52 倒数1
				好资料谢谢分享回复 \| 举报 \|

世纪电源网总部

地址：天津市南开区黄河道大通大厦8层

电话：400-022-5587

传真：(022)27690960

邮编：300110

E-mail：21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广东：(0755)82437996 /(138 2356 2357)

北京：(010)69525295 /(15901552591)

上海：(021)24200688 /(13585599008)

香港：HK(852)92121212

China(86)15220029145