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分享论文:《GaN功率器件预驱动芯片设计与封装集成》

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  • 2019-7-22 16:43:16
       氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件因其出色的导通与开关特性,能够实现系统高频化与小型化,有效提升系统功率密度。但是,增强型GaN功率器件由于其栅极可靠性问题,使其在电源管理系统中无法直接替换传统硅基功率MOSFET器件。为此,提出一种预驱动芯片,通过片内集成LDO与电平移位结构,实现兼容12~15 V输入,并输出5 V信号对GaN功率器件的栅极进行有效与可靠控制,达到兼容传统硅基功率器件应用系统的要求。此外,通过多芯片合封技术,将预驱动芯片与GaN功率器件实现封装集成,降低了寄生电感,使其应用可靠性进一步提升。


欢迎大家下载学习:
       GaN功率器件预驱动芯片设计与封装集成.pdf (1.43 MB, 下载次数: 12)
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  • 2019-7-28 23:22:25
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好资料    谢谢分享                  
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