正在测温度，差不多要结束了；感觉比较满意，CC,CV 都可以0V起调；cc模式的时候直接输出短路就可以，不用接负载来调；短路保护latch可以实现，开关之后可以恢复；
改进和要注意的地方：1.电压采样放在isense电阻后面的话可以降低压降；2.输出电容靠二极体太近了，温度受不了，开始为了环路面积小挤到一堆去，以后还是要综合考虑；3.pcb有些线太细了，导致那部分板子温度高；孔与孔之间距离太小，人家做不出来，焊接容易连锡；同一个NET的部分，有些没有连接到，没检查；4.环路没有算，感觉并个RC就可以，也不知道怎么去判断环路是否稳定，响应是否良好，是不是要测dynamic？？还是通过看ripple，noise大不大？？
25v/2A 电感100°C,输出电容83°C,MOS79°C,DIODE80°;
25v/1.6A 电感83°C,输出电容74.6°C,MOS71°C,DIODE74°C;
15V/2.5A ...;
对于给定的vin,L(L,Ipk),Vo;临界模式输出功率最大；
Pmax=0.5*L*f*Ipk^2; Ipk=vin*Ton/L=vin*D/(f*L) >> f=vin*D/(Ipk*L) >> Pmax=0.5*vin*D*Ipk=0.5*18*0.6*15=81W（假设损耗为零）;
津公网安备 12010402000296号