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分享论文:《基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析》

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世纪电源网-SUN
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LV6
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  • 2019-7-23 14:27:28
         较之于传统硅器件,新出现的增强型氮化镓晶体管GaN HEMTs(gallium nitride high electron mobilitytransistors)具有很高的开关速度和高功率密度的特性,可以为直流变换器提供有效的改进。为了解决GaNHEMT在硬开关应用场合下的波形振荡并提高功率密度和效率,采用半桥LLC谐振变换器为本次应用的拓扑结构。以减小损耗为目的,优化了LLC的谐振参数和死区时间。在400 V输入电压、开关频率300 kHz和输出电压18 V电流12 A的测试条件下,效率达到95.59%。最后对变换器的损耗来源进行分析,损耗的理论计算值接近实际测量值,证明了方法具有一定的实用性。

欢迎大家下载学习:
       基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析.pdf (1.23 MB, 下载次数: 58)
c0sm0s
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LV6
高级工程师
  • 2019-7-27 17:03:21
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好资料    谢谢分享      
chybzhq14
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