| | | | | 不管是DCM还是CCM,SR的开关管都需要在电流下降到零之前关断,以避免输出倒灌吧。如此,在关断的时候,关断电流给寄生电容CDS_SR充电,导致了关断尖峰的产生。加吸收电路是比较简单的解决方案呀。不加吸收电路,稍微减缓SR的关断速度,或者在管脚上套一个磁珠也有一定的改善。
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | 在电流下降到零之前关断,这个时候电流会有MOS管流过电流转向体二极管流过电流,何来关断电流给寄生电容充电之说?
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| | | | | | | | | 这时候的关断电压尖峰和SR的体二极管的反向恢复有关。可是,DCM的时候,SR的体二极管是关闭的,只有其Coss上有谐振电流?
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| | | | | | | | | 关断电流不是指正向的沟道电流,难道发帖的人的电压尖峰是VSD么?显然是VDS尖峰,从输出给结电容充电的关断电流。 |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | 我没质疑你说的给结电容充电造成的尖峰,只是说,同步整流提前关断MSO管与形成电压尖峰的前后逻辑关系不符。
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | 我前面说了,提前关断跟现在存在尖峰不能形成逻辑关系。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 版主说的很对。同步Boost也可以做出一直CCM的模式,电流可以倒灌,就是轻载效率低点。
后来发现,在SR的G,S端并联一个nF级别的电容,就可以抑制SR的关断电压尖峰了,机理现在
还在看。SR在开通或者关断时,都是体二极管先动作,几十个ns后,驱动才过来,所以关断尖峰
和驱动关系不大,难道要从管子的本身区理解:Vds=Vdg+Vgs?请不吝赐教,谢谢。
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | GS增加电容,其实就是降低开关速度,跟增大栅极串联电阻道理是一样的。可以减小关断时候的尖峰。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 版主,之前说过了,SR的驱动先关断了(0V),60ns后,SR的本体才关断。关断尖峰和驱动好像无关啊。
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