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求教,关于反激的RCD问题

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yihafewu
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高级工程师
  • 2019-8-5 09:09:19
10问答币
1、C1两端的最高电压大概为多少,是不是可以计算?已知输入240V,输出50V,匝数比3:1,是不是还要知道其他参数?
2、D1两端电压是不是在Q1导通瞬间为最大?其为V+加上C1电压?此时C1电压是不是正好为次级在初级绕组上的反射电压?
TIM截图20190805083914.png

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1.反激是如何工作的,在Q1关断时刻,变压器原边电流首先给Coss充电,副边二极管未导通,只有将MOS电压充至Vin+n(Vo+VF),即变压器副边端电压变化,足以实现二极管导通,此时才会有副边的二极管导通,然后变压器端电压被钳位了,变压器中存储的能量,也就是激磁电感能量,通过副边绕组继续续流此时原边漏感能量没有完全释放,就和Coss震荡起来了。然后产生了尖峰。 2.C1两端电压还需要你的变压器的漏感等参数,你如果绕制三明治绕 ...
夜雨雨夜
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  • 2019-8-5 10:45:00
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1.反激是如何工作的,在Q1关断时刻,变压器原边电流首先给Coss充电,副边二极管未导通,只有将MOS电压充至Vin+n(Vo+VF),即变压器副边端电压变化,足以实现二极管导通,此时才会有副边的二极管导通,然后变压器端电压被钳位了,变压器中存储的能量,也就是激磁电感能量,通过副边绕组继续续流此时原边漏感能量没有完全释放,就和Coss震荡起来了。然后产生了尖峰。
2.C1两端电压还需要你的变压器的漏感等参数,你如果绕制三明治绕法,估算3%左右,分析反激吸收电路,你可以区大概2~3被变压器端电压,即2~3* n*(VF+Vo)
3.D1在Q1导通时D1承受Vin和Vc电压,Vc电压为吸收电压,高于此NVo


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yihafewu
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  • 2019-8-6 08:52:55
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感谢大大的热心解答。
oldfang
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RCD学习了。
pbk82
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  • 2019-8-6 09:06:47
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1、C1两端电压大小取决于你的参数设计,次级折射电压Vor=3*50=150,C1两端电压一般设置为Vor的1.4倍,即Vc=1.4*Vor=210V
2、D1两端电压大约在Q1导通瞬间最大,其值等于Vin+1.4*Vor=450V

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yihafewu
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  • 2019-8-6 09:49:27
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感谢大大的回复。
针对问题1,您的观点与1楼大大的观点相差较大(2~3 vs 1.4),我也不懂,就不管了。
针对问题2,我有疑问。
在MOS管关断期间,C1吸收完漏感后,已经开始向电阻放电,在MOS管导通瞬间,其两端电压应该小于1.4Vor了吧?
pbk82
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  • 2019-8-7 08:08:30
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吸收电容C1比较大,我们一般都认为其上的电压是恒定的,其实不是,充放电时上面有一个纹波,尖峰应该比计算的大一点
具体多少取决于电容的大小
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