LLC全桥充电，高压侧IGBT上管驱动波形异常，恳请各位专家指导！

1、工况描述：高压侧为全桥变换器，280Vdc左右，低压侧为全桥整流（48V），无同步整流；LLC参数：Lr:6.5uH，Cr:300nF，Lm:850uH，开关频率：85KHz（＜谐振频率）；死区500ns; 高速IGBT(infineon EH系列）；
2、波形描述：A、黄色：谐振电流波形；B、绿色：上管(A)驱动波形；C、蓝色：上管(B)驱动波形；D、上管A的VCE电压；
3、现象描述：从波形看，谐振腔已经建立，驱动上升前，其VCE已经下降到零，可以看出基本为ZVS状态。谐振电流基本对称，由于励磁电感很大，硬关断电流很小。
4、问题描述：同为上管驱动（如蓝色所示），一个波形非常好（其上升沿和下降沿都正常），另外两个下管的驱动波形也很漂亮（未显示）。而另外一个上管（绿色）在开通前会掉坑，在关断后会鼓包；
5、排查过程：A、驱动电路完全一致（驱动电阻约为7ohm)；B、驱动回路非常短而粗（有去耦，长度小于2cm）; C、排除过驱动光耦原边受干扰的因素（光耦副边输出波形非常漂亮，到IGBT的G极就变了）；D、考虑过米勒电容的因素（在功率管的CE之间并联电容1nF，降低VCE的上升率，可以降低这种驱动冒尖的幅度），但另外3个IGBT驱动就正常；E、排除过示波器及探头的差异；

恳请各位专家指导，谢谢！