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未解决

LLC全桥充电,高压侧IGBT上管驱动波形异常,恳请各位专家指导!

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ouhaihui
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初级工程师
  • 2019-8-6 16:08:37
10问答币
无标题.png


1、工况描述:高压侧为全桥变换器,280Vdc左右,低压侧为全桥整流(48V),无同步整流;LLC参数:Lr:6.5uH,Cr:300nF,Lm:850uH,开关频率:85KHz(<谐振频率);死区500ns; 高速IGBT(infineon EH系列);
2、波形描述:A、黄色:谐振电流波形;B、绿色:上管(A)驱动波形;C、蓝色:上管(B)驱动波形;D、上管A的VCE电压;
3、现象描述:从波形看,谐振腔已经建立,驱动上升前,其VCE已经下降到零,可以看出基本为ZVS状态。谐振电流基本对称,由于励磁电感很大,硬关断电流很小。
4、问题描述:同为上管驱动(如蓝色所示),一个波形非常好(其上升沿和下降沿都正常),另外两个下管的驱动波形也很漂亮(未显示)。而另外一个上管(绿色)在开通前会掉坑,在关断后会鼓包;
5、排查过程:A、驱动电路完全一致(驱动电阻约为7ohm);B、驱动回路非常短而粗(有去耦,长度小于2cm); C、排除过驱动光耦原边受干扰的因素(光耦副边输出波形非常漂亮,到IGBT的G极就变了);D、考虑过米勒电容的因素(在功率管的CE之间并联电容1nF,降低VCE的上升率,可以降低这种驱动冒尖的幅度),但另外3个IGBT驱动就正常;E、排除过示波器及探头的差异;

恳请各位专家指导,谢谢!


shao456
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LV8
副总工程师
  • 2019-8-6 16:54:14
  • 倒数6
 
把死区加大到600nS试试

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ouhaihui
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LV4
初级工程师
  • 2019-8-6 19:34:50
  • 倒数5
 
好的,感谢回复!我明天安排试试看。目前这个驱动往上冒尖的起始位置,是另外一个上管VCE降低到零的时候,此时另外一个功率管驱动还没有到来。
shao456
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LV8
副总工程师
  • 2019-8-7 08:41:11
  • 倒数4
 
可能电容刚放电到0V,二极管还没有开通MOS就开通了。
crui7246
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LV4
初级工程师
  • 2019-8-7 08:50:06
  • 倒数3
 
对全桥LLC
当死区和关断电流合适,关断的电流对管子上电容充放电实现软开。
当死区过小或关断电流较小时,不能完全对管子寄生电容充放电,ZVS程度不好。
当死区过大时,电流对寄生电容充放电结束后并没进入下一工作状态,持续的震荡电流反向会导致ZVS失败。
所示,掉坑应该是死区太大了。
Preston
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LV8
副总工程师
  • 2019-8-7 10:18:33
  • 倒数2
 
大概率是示波器的共模信号抑制能力不足,测量上管驱动时其共模电压的变化对测量结果产生了影响。两边不对称,可能是两个桥臂对示波器参考地的寄生电容容量不一样,导致共模电压幅度不同,也可能是不同探头的共模抑制比有差异。

实际驱动应该没什么异常。
夜雨雨夜
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LV8
副总工程师
最新回复
  • 2019-8-11 17:41:44
  • 倒数1
 
同样是上管,如果你电路和驱动都一样,为什么两个上管是不对称的呢?1.探头互换了还是有吗?
2.驱动没有打得时候那个下掉的坑,我怀疑你的驱动下拉部分虚焊了。靠的比较大的驱动电阻在下拉。

第二个我觉得可能性较大,您不妨看看。
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