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| | | | | | | 但目前实际测试中是有发现软桥的EMC会比普通的要好,目前主要是对于其原理不是太懂
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| | | | | | | | | 从原理上讲:
二极管导通时等效于短路,对EMC没啥影响。
二极管关断时有反向恢复,但这只对高频关断而言,只要你使其不进入高频切换工况,对EMC就没啥影响。
唯一有影响的是二极管关断后的结电容与回路中某些感性等效机制的可能谐振,这个在电路和布局上稍微注意一下即可。
你发现的软桥的EMC会比普通的要好,可能只是特例(比如单级PFC反激),可能不是普遍有效,还可能有反例的情况。
当然,不排除有人在硅桥内故意(或者顺带)集成某种(共模滤波电)感性等效成分,或者有意减少上述(引起谐振的)容性成分,这看起来或许对EMC有利,但可能牺牲其他特性,个人觉得还是各司其职的好。
最后建议:无论你是卖家还是买家,对此都不要抱太大希望。世界电力的很大部分都是通过普通二极管整流实现的,这个技术(无论他说得如何天花乱坠都)掀不起大浪。
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| | | | | | | | | | | 这个倒不是特例,在30W以下已经在大量的应用了,在这些应用里面因为成本问题因为基本上没有加X电容,所以这时候使用软桥就能够很好的降低成本来解决针对DM 0.15~1M的影响了。至于更高瓦数的可以使用普通的桥堆这是没错的,因为在这些应用里面基本上都有X电容,甚至两级滤波。
至于坏的影响是有的,软桥的普遍的Vf值会比普通桥堆要高0.3V左右,所以会损失一定的效率,并带来一定的温升问题,但是这在30W以下的应用里面不算太大的问题。
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| | | | | | | | | | | 影响非常大,10个dB吧,李工可能没有感受过,下次APEC会有人做详细理论分析
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| | | | | 软桥堆 (福田软恢复桥堆生产厂家)
和普通桥堆
这还是第一次知道,记号。。。
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| | | | | 大致说明下软桥和普通桥堆的差异,软桥是指Trr时间在300~500nS左右的桥堆,普通桥堆是Trr时间在2000nS左右的桥堆,对应我们的二极管就是快管和慢管。
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| | | | | 软,是指反向恢复电流由最大值回到零时的di/dt较慢,因而和寄生电感电容产生的电压尖峰和铃振较小,对EMI有利。
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| | | | | | | 有三方面问题点:
1,Trr时间很大一部分是由于PN结电容上面的电荷放电的时间,那么软桥的Trr时间更短,不应该是反向恢复电流更大么?这个不是很理解。
2,软桥形成的震荡较小,对于EMC更好,这点是没有疑问的,但是这里关于DM 0.15M到1M产生的主要源泉是在于开关频率的几次谐波震荡,这个震荡主要还是在桥堆开通的那段时间内以di/dt的形式在LISN的电阻上面形成电压,所以会被检测出来,但是软桥形成的震荡会对这个频段产生多少影响,我表示不是很确定。
3,我的问题里面还有一个点就是为什么只是对DM PK值影响这么大,而对DM AV值影响不大,这个只用di/dt的减小带来的振铃较小是无法全部解释的通的。
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| | | | | | | | | 1. 电流还要看它的Qrr。觉得 i 不是问题,di/dt才是。也没有说 di/dt 是您的问题的成因,只是一般概述。
2. 软桥形成的震荡,频率应该不低,估计好几MHz,影响0.15~1MHz频段的,是软之外的特性所致了。
3. 测得的信号是非连续的吧,个别峰值和平均值差别很大是有可能的。
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| | | | | | | | | | | 1,的确是的,软桥的Qrr是会比普通桥堆的小很多,所以这里面带来的不管是谐振的能量还是谐振的尖峰,di/dt是会比较小,这点是可以确定的。2,是的EMC测试设备的确不是连续测试的,而是一般按照9KHZ一个点来测试的,您所说就是可能会有某些点没测试到才导致PK和AV差异很大,但是实际上测试并不是一个点或者两个点的差异而是一整段的差异,您可以看我上传的测试结果。
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| | | | | | | | | | | | | 软桥的PK在1M以下是"连续"的,AV的起伏波浪也不大,似乎是多了频率分量?
比较起两个AV,看形状和曲线下的面积,其实分别不小。
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| | | | | | | | | 没有X电容的情况下,快恢复整流桥对1Meg以内差模确实有很好抑制效果,本质上是因为二极管反偏下结电容的不平衡导致共模转换成为差模干扰。
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| | | | | | | | | | | | | 可惜不是特列,我一年前的演讲里面就有提到了。用软桥可以取消前面的X电容,传导和硬桥+X电容一样
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| | | | | | | | | | | 第一,1M之前的频率主要还是差模量产生的吧,共模量在里面占据的分量不大吧?即使转换又会带来多少差异?目前我们实际测试的差异会达到十几dB以上,所以我觉得这个说不通
第二,共模转差模的前提是LN线的阻抗存在差异,才会使共模量在上面转换成差模量,这样说来就必须是桥堆上面的结电容有很大的差异才会使LN的等效阻抗存在较大差异,但是我觉得实际上面四个桥臂的结电容应该不会差异这么大。、
第三,共模转差模的模型也无法说明为什么软桥会对PK值影响较大,而对AV值影响不大的结论。
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| | | | | | | | | | | | | 感觉:你作为对比的普通桥的那个频谱很难见到,到是你软桥的那个频谱很常见。意思是你的普通桥可能并不普通,你的软桥反而很普通。换个普通桥试试?或者换个板试试?意思是你这个可能只是特例,得出的任何结论可能无效。
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个目前在中小功率电源上面已经是很常用的对策EMC的方法了,这个不是特例哈
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 是的,所以在小功率很有优势,对策EMC成本会低很多,但是大功率会造成桥堆温度过高。 |
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| | | | | 桥堆工作整体可以分为三个部分
第一部分,就是桥堆导通时,这是桥臂两个管子导通,两个管子截止,我们都知道DM的产生基本上是开关频率的几次谐波,此时产生DM的dI/dt将会直接传递到LISN的电阻上面,故此时硬桥和软桥对于此时影响不是太大
第二部分,就是桥堆关断时,此时桥堆的四个二极管都将会是截止的,但是此时仍有桥堆的寄生二极管存在,软桥的寄生电容会相对于普通桥堆的寄生电容小一些,也就是相当于在和LISN组成的回路里面寄生电容所产生的阻抗会较大,因此在LISN上面的dV/dt会比较小,故软桥的PK值会较低很正常,因为关断的时间占据了桥堆整体的工作时间的大部分。
第三部分,也就是反向恢复这段时间,这段时间慢管是会产生dI/dt振荡的,但是频率并不在1M之前,但是因为慢管的反向恢复时间较长,可以看做是第一部分的时间会比软桥的要长一些,因此LISN上面接受到的di/dt会比较多些,故AV值会低些正常。
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