| | | | | 10K到100K之间都可以,给结电容提供快速放电回路。
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| | | | | | | | | | | | | 反激to220的管子?,看你管子的封装,加个20k,芯片都带下拉的,只是减小扰动的影响而已。 |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 主题:142
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | |
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| | | | | 10k 20k都用过,不要太小,增大损耗,也不用太大。不然易受干扰。也看你用什么电路,如果驱动芯片带下拉,也可以不用。 |
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| | | | | 这个电阻有10--100K欧的取值范围 具体的值要根据所用MOS管的具体参数以及电路类型来选择
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| | | | | | | 您可否讲具体一点,举个例子和mos以及其他的影响。 |
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| | | | | 这G R2取值3-10K最佳。 理论上小一点好。 过小了增加驱动电流负担,。
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| | | | | 没看到什么依据,10K常见,20K也有,没看到其他阻值
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| | | | | 跟你所选的电源芯片相关,有的芯片内部有这个下拉电阻,要区别对待。
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