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未解决

功率驱动电路,驱动光耦和脉冲变压器驱动的区别和利弊

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jms12345
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高级工程师
  • 2019-9-16 11:28:06
10问答币
对于IGBT驱动电路,目前主要是用高速光耦加独立电源,成本比较高;如果用脉冲变压器隔离驱动,可靠性高吗?请各位大佬赐教
jms12345
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LV6
高级工程师
  • 2019-9-16 13:05:33
  • 倒数8
 
期待大佬们布道,小弟非常感谢!
allnights
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高级工程师
  • 2019-9-16 16:09:32
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持续关注。
nc965
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  • 2019-9-16 21:05:17
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高,但电路要设计得当,重点是正负脉冲幅度要适当,上电掉电逻辑不冲突。
jms12345
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高级工程师
  • 2019-9-17 09:01:48
  • 倒数5
 
早上好,李总,对于进线系统AC380-AC480,加强绝缘DC4752,部分驱动光耦可以满足,是不是对于电压等级更高的,可选的光耦范围更小了,只能选择变压器隔离,我们对于驱动变压器设计,主要需要注意哪些,磁感应强度选择,磁芯选择,占空比选择?能否具体给说下,谢谢李总
nc965
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  • 2019-9-17 09:39:45
  • 倒数4
 
变压器驱动是很成熟的技术,站内有很多贴,足够你参考了。
这是最近一个设计案例,供你参考:
10.png
图片.png
jms12345
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高级工程师
  • 2019-9-17 10:37:03
  • 倒数3
 
好的,李总,我来学习下




jms12345
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高级工程师
  • 2019-9-17 10:45:01
  • 倒数2
 
李总,原边匝比,NP=Vcc*T*D/Ae*Bm,这里我们是假设占空比是小于0.5的一个固定值吧,例如0.45,之前看过一个计算文档,移相全桥拓扑,每个桥臂的上下管是2个MOSFET并联,它的NP=Vcc*T*D/Kf*Ae*Bm,Kf取值4,没有想明白为什么除以4?
nc965
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版主
最新回复
  • 2019-9-17 11:04:34
  • 倒数1
 
最好加上括号,否则有歧义,如果是/(Kf*Ae*Bm)关系,你可以考虑是4只磁环叠绕。
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