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未解决

反激电源尖峰很大如何解决?有图 PCB 波形 原理图

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  • 2019-9-16 23:59:00
10问答币
200-1000V  DC输入, 低压还好,随着电压升高,关断尖峰越来越大,辅助供电绕组12V也给拉高了,12V变35V了,带了1k死负载才拉下来,变压器三明治绕法,两个钳位二极管用的快管, US2M,  据说换成1N4007会好?这种管子反向恢复时间太慢了吧? 能行吗?   整个过程5W负载,整个过程很稳,没震荡(该芯片变频,额定65kHz,相对于输入电压,负载越轻,频率越低,最低导通时间2us)高手支招,谢谢。下图

2019-09-16_234843.jpg

2019-09-16_234751.jpg

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620V输入  一支MOS的电压都 700V了,   900V的管子
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能源消耗
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  • 2019-9-17 09:09:05
 
看了线路图,全程没有吸收,  可以用471电容串高功率电阻RC吸收。   整流管也要吸点。  没有吸收钳住尖峰。肯定高的离谱。同时波形还有微振。12V辅助变成35V是不对的,   这个电压时随占空比改变而改变,不是随输入电压改变,,检测是不是绕组相位反了。

另外提示:可以在变压器初级两端加RC吸收,这样的效果更明显。但注意电阻功率与匹配值。
在正常情况下,  管子波形的反射电压幅度是不会上升的,  输入电压上升时只上升波形底部的波形幅度。

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  • 2019-9-17 09:46:52
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1,双管反激电源  二极管钳位,没吸收很正常,否则怎么叫钳位?
2,绕组肯定没反,确认了十几次了,也量过了。
3,占空比决定电压,输入电压高了,尖峰大了,占空比也变了,辅助供电负载那么轻,肯定飘,原边尖峰那么大,折算到辅助绕组,电压肯定高。
4,副边二极管100V肖特基,无需吸收, 试过,加了RC吸收更烂。
5,原边1000V输入,再搞个RC吸收,我估计损耗大不说,可靠性,发热问题一堆。算了吧
6,电路没有震荡,那是关管后的寄生震荡,另外芯片有抖频功能,示波器暂停后,当然也看不到了
能源消耗
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LV10
总工程师
  • 2019-9-17 10:59:02
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你认为自己对就行。飘过

YTDFWANGWEI
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  • 2019-9-17 16:42:06
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人家说的震荡,就是你说的管子关断后的那个震荡。加一点RC波形就好看多了。二极管钳位,最终也是利用电容来限制尖峰,如果电容放置位置不合理,那么在母线上就会看到尖峰,你看看你的母线上波形有没有尖峰。
星宇
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  • 2019-9-18 00:29:46
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二极管实际上有没有钳位,你测VDS波形看的出来啊!比如输入800V,而VDS只600多位,这时钳位二极管能起作用吗?
天行健
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  • 2019-9-19 10:25:48
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双管反激,功率不大,看你输入低的时候,箝位二极管箝位正确。(第一张波形)但是有个很明显的问题,你主变压器电感量设计的很小啊,不但全程DCM,而且占空比完全不成比例,这样的后果,造成的就是关断瞬间,切换电流很大,速度也高,这个随着激励电压升高,就看出来了。
3个建议:
1、增加主绕组电感量,延长导通时间,哪怕不是CCM,至少合理控制占空比水平。这样能大大减小双管断流时候,漏感能量,让箝位二极管能正常工作。
2、仔细观察干线电压,是不是有和MOS 一样的高尖峰存在,如果有,则必须在干线靠近箝位二极管的位置,增加高频CBB以及时抑制由二极管过来的高速电流能量。
3、这么小的功率,效率不是最敏感的,这里你栅极电阻太小了,合理增大栅极电阻,可以有效控制关断速度,到速度合理时候,则不管高压低压,箝位二极管都能正常起作用。才几W的功率,栅极电阻几百欧姆都是小菜。
anthony
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  • 2019-9-17 09:31:22
 
你这个电源多大功率?应用在什么地方?
nc965
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  • 2019-9-17 10:15:10
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先按此贴1楼表格核算变压器:【原创】反激变压器设计要领
anthony
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  • 2019-9-18 09:37:35
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用一个NDUL09N150C做单管的会简单些。

444888
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  • 2019-9-27 22:11:06
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太贵  17元一支
primary
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  • 2019-9-18 15:15:49
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输入端4个铝电解电容串联,整个功率回路太大了。在Q1漏极和下管sense电阻的地之间并一个高压薄膜电容,要尽可能的靠近。
444888
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  • 2019-9-27 22:09:10
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试过了无效,  核心在变压器漏感,解决办法是改更大的磁芯将原来变压器原边三层绕组 减少(匝数),变成了一层,没有了尖峰

DS1Z_QuickPrint7.jpg

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