反激拓扑和MOS管寄生电容-综合电源技术-世纪电源网社区

vigoss

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LV6

高级工程师

10问答币

请问一下，在反激拓扑中，MOS管寄生电容Cgd，Cds，Cgs对MOS管的电压应力有啥影响？选择Cgd和Cgs较大的MOS管，是否是降低了电感中的di/dt，从而减小了电压应力，选择Cds较大的MOS管，较大的Cds在和变压器漏感谐振的时候电压应力会更小？

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		2 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93641 \| 主题：115 \| 帖子：27350 访问空间发消息积分:93641 版主 2019-10-1 09:25:25 倒数4
		不要这样认为，那是误区回复 \| 举报 \|

		3 伟林电源伟林电源离线 LV7 版主积分：24192 \| 主题：199 \| 帖子：8434 访问空间发消息积分:24192 版主 2019-10-2 13:33:13 倒数3
		理论上而言，Ciss和Coss是两个相对矛盾的存在。回复 \| 举报 \|

		4 lhj1990 lhj1990 离线 LV4 初级工程师积分：337 \| 主题：1 \| 帖子：20 访问空间发消息积分:337 LV4 初级工程师 2019-10-8 16:09:03 倒数2
		Cgs大驱动损耗大，可以调整变压器绕组结构，降低漏感，开关管加吸收，增大驱动电阻等。回复 \| 举报 \|

		5 闪烁闪烁离线 LV7 版主积分：51778 \| 主题：49 \| 帖子：1240 访问空间发消息积分:51778 版主最新回复 2019-10-8 17:33:07 倒数1
		Cds较大的MOS管，有可能刚好开通在谐振峰顶，这时候反而开通损耗更大了回复 \| 举报 \|

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