Gan设计赛 65wpd

     总体方案陈述：拓扑结构为acf（有源钳位反激）
功率部分：主开关管为navi nv6117集成allgan 功率级 钳位管为navi nv6115集成功率级

钳位管为高侧功率管，需要进行信号隔离传输或levelshift以传输pwm钳位信息，
隔离器接受侧供电为bootstrap 方式，由于此开关频率较高，bootstrap电容可选用低容量的。
隔离器选用silab si8610 电容隔离器的频率和寿命都显著高于光电耦合器，
无光衰减影响电源整体性能及寿命之忧。
高低侧mosfet驱动方面 由于navitas allgan系列集成驱动，仅需输入pwm信号即可直驱 无需担心控制器驱动能力问题。

主控部分： 主控部分为ti ucc28780 zvs acf控制器



其供电方面 上电初始，使用高压辅助绕组实现启动，直至芯片输出“RUN”信号，
集成功率级及高侧隔离器进入工作状态，辅助绕组也相应发生变化。
ucc28780集成了辅助绕组供电相关的引脚 当pdphy 芯片握手前后 由于输出电压己占空比变化，
绕组电压会出现相应改变，使用28780相应引脚进行检测，保证芯片供电，确保pwm正常发波。

输出高频同步整流方案：ucc24612 驱动bsc093n15 mosfet

usbpd协议子pcb
伟诠wt6632f全协议 集成电压基准 无需外置tl431等集成基准
配合万代半导体aon7405 p-mos
（与原理图中的csd场效应管参数引脚封装均一致）实现pd输出控制

pcb3d总预览图

此部分为占主要体积的功率母板 acf控制板及次级侧控制板以插销的形式放置于其上部及右下部的排针插销中。