 |  | | | | 高压串激，前几天我刚好有分享过这个拓扑，MOS管选用三状态的模型就可以了，不要用数字理想模型； 评分查看全部评分
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| | | | | 这种电路上管无需驱动，由下管驱动上管即可（类似源极驱动），（寄生）电容均压。
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|  | | | | | | 您好，这个是想用简单的芯片搭建高压反激电路。这个电压是浮地，如果用下管接高压二极管接上管驱动，理论上也是可以的。
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| | | | | | | | | 理论上就是电容均压，因此你的电路或者器件模型一定要有电容，其他电路（高压二极管）只是辅助，还可能是画蛇添足（或者弄巧成拙）。
参阅：电阻均压VS电容均压
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| | | | | | | | | | | 串联是mos的寄生电容可以实现均压，这个电路中使用稳压管进行电压分配，貌似也可以。您看下帖子
https://bbs.21dianyuan.com/thread-314453-1-1.html高压反激 |
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| | | | |  | | | | | | | | 不知道你是不是原理图有错误，这个拓扑我有用过，应该是下面这样的
这个电路的作用是通过两个低压的MOS管串联起来做高压反激；
理论上如果管子参数一模一样，直接就是每个管子承担1/2的DS电压（电容分压），但是实际中管子差异比较大，所以加了辅助嵌位TVS，当下管DS电压超过TVS电压，下管DS电压被嵌位，多余电压分配到上管，实现了上下管电压的分配，又保证了下管电压不会超压；
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| | | | | | | | | | | | | 稳压管分压基本上是想当然，起作用的还（其结电容）在驱动和均压。
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| | | | | | | | | | | | | | | 不加TVS嵌位，你能保证下管电压不超压？像这种电路一般都是下管的MOS是集成在控制IC里面的，比如TY280，只需加外部上管MOS管，管子差异很大； |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 实际应用，不加嵌位稳压二极管，1000V的系统，炸的稀巴烂
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那是因为你没按电容均压设计，没搞懂这种电路的驱动原理，你把稳压管换成一个电容（电容量按储能与上管Cgs大致相等）试试？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是没搞懂，你是在理论层面去分析，实际你去试试看；
这电路我们用了很多，高压反激电路，我们为了省成本用这个电路做了很多方案，并电容的也试过，还是不如TVS的可靠，虽然是牺牲了点效率；
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 无论理论还是实际，你都得首先满足能量平衡原理不是？如果Cgs电容的能量不能平衡，即使你做了很多方案（别人做得可能比你更多），但是都没有摆脱这种电路可靠性不高的命运。
换一个角度看，你之所以要用稳压管，显然就是因为下管（而非上管）电压应力太高，这只能归罪于你不知道什么原因且没按（电容）均压的思路去设计。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 算是我没理解上面电路的工作原理；求指导，分析一下上面电路的驱动，以及工作原理？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你不是楼主，况且此类问题还经常出现，我看还是单独开贴讨论吧
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你好，想问一下1.输入电压变化大时，电路稳定性
2.批量产品的维修率
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