| | | | | 你这个机子确实是直通炸机,但是跟你说的没有关系,你仔细你测量的电流波波,第二个脉冲压根就汉有过0,这才是炸机原因,你这机子在重载启机,关机时都会炸机。相关解办法,我都发过贴子!
|
|
|
| | | | | | | 就是在MOS管DS并电阻吗?达到启动时谐振电容就带电的效果?
|
|
|
| | | | | 把死区时间调到500ns再看看,180V时启动频率是多少?
|
|
|
|
| | | | | | | | | 不一定,可以减轻上下管直通的风险,驱动芯片最好加上boot二极管。
|
|
|
| | | | | | | | | 本人新手,对于过0还不太理解,可以麻烦介绍一下相关的资料吗?我去学习一下 |
|
|
| | | | | | | | | 前辈您好,我按照你另一个帖子里提到的并电阻的方法测试了一轮,MOS两端各并一个200K/1W的电阻。180V的启动波形如下:
CH2为下管VGS,CH3为下管VDS,CH4为谐振电流,震荡还是有,但是小了很多,190V启动和180启动差不多,比之前没并电阻的时候170V情况好了不少,不过输入增加到200V时波形如下:
200V的时候震荡尖峰明显比190V的时候大不少,达到8V了,MOS管的导通电压是10V,如果电压再往上还是有些危险啊,满载工作的时候输入电压达到230V,暂时只测试到200V,还没往上测试
|
|
|
| | | | | | | | | | | 看看MOSFET的软开关情况吧,貌似你的DT太大了,开通时候电流都已经反向了,如果你的B/D 不是快恢复的,很容易炸;
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 这个MOS的体二极管确实不是快恢复的,设计之初遗留的坑,启动完成之后稳态还是达到软开关了的
|
|
|
| | | | | | | | | | | 那个电阻要调整的,直到启动的时候谐振电流能过0,而且谐振电容要放低端,加上钳位二极管,防止重载启机或者关机时进入容性模式!
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 电容放低端是指和下管的E连接吗?我是根据三圈两地的指导让地尽量靠近,所以才弄成这样的,和下管E连接有什么不一样的吗?还有个问题就是电阻是要具体怎么调整呢?怕没调整好炸鸡不敢乱调啊,还望赐教,感激不尽啊
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 我对加箝位二极管具体怎么加比较迷惑,网上查了都是分体电容,我这个不知道具体怎么 加啊,有没有资料可以介绍下呢?还劳烦前辈费心啊
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这样子在C1电流朝下的时候不会直接通过D6回流吗?这样还如何谐振啊?我有些没看明白
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还有就是启动第一个周期,谐振电容放低端的话,第一个周期下管先开通再关断后,电感有电流给下管结电容充电,感应电压极性为左负右正,上管开通时下管的D瞬间拉高到VDD,VDD给谐振电容充电,电感为了阻止这个电流变化感应出左正右负的电压,左边的正电压和VDD叠加不会有很高的尖峰吗?这时结电容已经事先充过电了,这个很大的尖峰dV/dT就会给下管的米勒电容充电,充电电流流过驱动电阻,这样不是加剧米勒共通吗?
不知道我这样的分析哪里有问题,还劳烦前辈指点一二
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 自已多找资料看吧,LLC不是你想的那么简单,前面的坑还在等你填呢!最近也很忙! |
|
|
|
|
|