| | | | | S5\S6?此处正是RCD钳位的用武之地,如果交换一下位置则更甚。
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| | | | | | | 是S5,S6,不加吸收/钳位650V的管子基本上没有裕量了。 |
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| | | | | | | | | | | S5和S6每个都是半工频波常通,半工频波高频信号,S5高频的时候S6常通的,不是一起开关打的
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| | | | | | | | | | | | | 这应该没有尖峰,有的话PCB可以解决,加点RC也行,不用RCD。
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| | | | | | | | | | | | | | | 现在RC吸收解决不了,PCBlayout也不方便优化。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我电容不变,修改电阻,电阻较大的话,电容上没有尖峰,是不是这个时候没有吸收尖峰的作用? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 电容上的尖峰?这话有毛病,不符合基本原理:电容上电压不能突变。
同时也说明,如果真有尖峰,靠RC吸收是解决不了的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您可以看下,主题上的两个波形,黄色的是电容上的电压。电阻从50Ω减小到25Ω的时候电容上出现了和stress同样的尖峰。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电容上的电压? 你图上有个电容,然后RC吸收的C是一个电容,你说的是哪个电容?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 想用RC来吸收MOS的stress尖峰,但是当RC常数减小至电容能够足够时间相应的时候,发现能量太大,电容太小,使得电容的电压波形和MOS的stress尖峰波形一致了,我的想法是电容不够大,没有起到作用。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 想用RC来吸收MOS的stress尖峰?你总共有6只MOS,你想吸收哪一只上的?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Q5和Q6有的话,Q1到Q4也都是有的,只不过Q1到Q4承受的是1/2的Q5、Q6压降,所以用同样650V的管子余量很大; |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好了,用了37楼,你终于说明白了。
现在吸收:一个RC置于AB之间,C=330pF,R=1K1W,高压工况,看Q2尖峰效果,然后(先50%后10%)加减R,找到尖峰最小的R阻值。
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 主题:142
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | | | | | RC吸收,如果R太大,就没有效果了,吸收尖峰用的是C上电压不能突变,加R是限制流过C的电流不要太大,如果R太大,就变成将尖峰通过R滤波了,比如一个方波,通过RC滤波可以变成类似直流,但方波还是方波。
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| | | | | | | 前面S1到S4是全部高频驱动还是一半高频一半工频? |
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| | | | | | | 各一半工频常通,S5高频的时候S6常通的,不是一起开关打的
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| | | | | | | | | 你这驱动跟H6桥是一样的,你这个拓扑我没用过,不知道你们是为什么选这个拓扑而不是H6? |
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| | | | | | | | | | | 这个拓扑每个工作状态只有两个管子通,效率比H6好。
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| | | | | 分析了一下,你这个拓扑按道理是Q5、Q6管子是会被前面输入电压嵌位的;出现尖峰是应为前面H4桥输出到电感之间的走线有寄生电感和Q5、Q6体寄生电容之间谐振;
看一下走线还有没有机会优化一下,没得优化的话就只能加吸收;
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| | | | | | | layout中为并排TO-247管子,依次是Q1 Q5 Q6 Q4,距离在一个平面上基本上算最近了。但因为封装原因,有几CM的距离的。 |
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| | | | | | | | | | | 1uH电感和200p电容谐振产生的尖峰,并个68欧+1nF 的RC snubber 是否可消除?闪版再仿一仿?
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| | | | | | | | | | | | | | | 继续加大吸收电容到5nF,吸收效果明显,实际可能导致电阻过热
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢,Snubber的 68R是LC的特征阻抗,C是5倍200p,以damping来说,C 理论上是越大越好。对这个拓扑不熟,还不确定L是1uh还是2uH。能否展开尖峰,看看谐振频率?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这应该就是1uH/200pF的谐振频率。(您的PSIM版本是12?) |
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| | | | | 汇报下最新的测试结果:
1.使用RC吸收的时候在有功的情况下,Q5 Q6 为同步整流,二极管反向恢复关断,stress很干净,尖峰不超过30V。怀疑IGBT反并联二极管反向恢复速度慢
如果线上寄生电感,为什么二极管反向恢复没有震荡
2.使用RCD吸收,使用SI管,0.01u电容,200K电阻,电容电压在半个周期内会放光,所以去掉200k电阻,200k在一个开关周期内本身也放电有限
去掉后测试波形如下:
在尖峰处还是电容电压有震荡,并且没有明显的吸收波形
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将SI二极管换成FRD二极管,震荡减小,尖峰稍小,但是还是有尖峰电压存在。并且电容电压还是无法和stress匹配。
怀疑吸收电路距离太远,明天确认下吸收电路前有没有尖峰震荡。
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| | | | | | | | | 你这个Q5和Q6用的是IGBT,用它内部的二极管做续流有点问题,IGBT体二极管参数比较差,这个也有可能是产生尖峰的原因,在外面并个快恢复二极管在测试看看;
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| | | | | | | | | 1.这样的RC常数不是已经很大了?
2.是靠C来延缓上升斜率?
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| | | | | | | | | | | 你不要用那个思想去理解,尖峰主要是寄生参数的影响,加RC吸收主要是将尖峰能量转移到C上,R太大转移太慢,就是你前面所说的,测电容测不到尖峰 |
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| | | | | | | | | | | | | 我之前的H6参数是200R加220p的电容,电容加的越大效果越好,但是电阻损耗就越大,所以折中选择选择一下; |
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| | | | | | | | | | | | | | | 刚才没仔细看你前面参数,你用220p加50R的电阻还吸收不了尖峰吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 从20到200试过,20最好,50其次,100,200电容电压看不到吸收尖峰。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你去看电容尖峰做什么?高压空载工况,看Q2尖峰效果,然后(先50%后10%)加减R,找到尖峰最小的R阻值。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Q2的波形使用220p 20Ω基本是看不到尖峰,20欧姆~100欧姆基本无差。
现在只有Q5和Q6在无功的时候有问题。、
您可以看下Q5和Q6有功的条件下也没有问题。
吸收电容现在加大到330p,会降低到600V一下。
我看电容电压是这么想的:
调节电阻的时候,如果阻抗较大,就会导致RC常数大,电容在这个尖峰处,没有作用。看电容电压可以看出来,同时电阻太小之后,电容参与了震荡,反而尖峰更大了。
另:尖峰只有40ns,使用RCD吸收的时候,看电容电压,没有反激时的典型上升过程,怀疑尖峰时间太短,二极管没有响应过来,后面也就不用了,图之前放出来了,后面将Si管换成FRD的,波形近似,这个后续值得分析一下。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1、看Q2尖峰,是因为Q5\Q6的尖峰会反应到Q2上去,Q2的尖峰最小化,则Q5/Q6的尖峰最小。
2、不直接看Q5/Q6,是因为那是热点,不能直接挂示波器,看到的可能是假象,即使你用差分探头,也可能是假的,还可能是挂探头引起的。
3、220p 20Ω基本是看不到尖峰,20欧姆~100欧姆基本无差异,这些都不是吸收参数已经达到最佳的判据。电容上的电压波形,更不是判据。唯一的判据是尖峰高低。
4、你实在想看Q5/Q6尖峰,可以双踪AB(其中A就是Q2)的波形,然后波形相减。这种尖锐的脉冲尖峰,一是要接地,二是要直接看,不要储存(一储存展开又是假的)。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 了解,波形都有使用300M带宽的探头测试,都有用示波器主屏200us看。上面的2ms的波形只是先看趋势,后续都有看。
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