 |  | | | | 比例10:1 有点大，改为15:1 就好， 减小反射电压，吸收电容330P 几乎不起什么效果，采用472-103 的容量电容。问题就解决
你还在仿真阶段。实际做下来就知道了。
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| |  | | | | | | | 砸比10:1意味这占空比变小，原边峰值电流变大，是不利的，而且差距很大。尖峰肯定存在，变压器绕法，吸收适当可以减低，在管子耐压以下就可以。 |
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| | | | | | | | | | | | | 版主，你上面的波形有点像是双管正激的波形，我做的仿真跟你的波形是一样的
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| | | | | 1、正常（可抵达输入电压的2倍）
2、实际应用需加强钳位，最好有源钳位。
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| | | | | | | 1、版主能解释一下尖峰为什么可达2倍？按上面的仿真输入电压是500V，尖峰都到4000V去了，都有8倍了
2、有源钳位一般是怎么加进去的，可以给下电路图指导一下吗？
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| | | | | | | | | 1、2倍是正激的反射电压关系，也就是说你尖峰4000V最低可以钳位到1000V，再低就破坏拓扑了。
2、有源钳位网上大把
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| | | | | | | | | | | 按照星宇版主的方法加第三绕组复位；辅助绕组跟主绕组一样，输入电压600V，测试出来的DS最高电压差不多是900V;
按照版主的说法是不是可以理解为此时是已经破坏了拓扑的架构了呢？
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| | | | | 一般常规的单端正激采用第三绕组复位，你这是常规的单端正激，输出续流二极管的尖峰也会很高的，可以在变压器原边串一个电感，可以轻松搞定输出续流二极管尖峰！ 评分查看全部评分
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| |  | | | | | 1、版主请问第三绕组的匝数是跟原边匝数一样吗？
2、原边变压器外加电感感量应该怎么选取？（现在变压器感量是200u，输出电感是100u）
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| | | | | | | 版主，加第三绕组复位确实有效，辅助绕组跟主绕组匝数一样，MOS管电压直接被嵌位在2倍输入电压；
在再问一下如果是这样的话是不是，单管正激不适合高压场景应用？高压是否一般选双管正激？
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| | | | | 1. 330P太小了,可以考慮換成1nF 試試
2. Mos DS 也加個RC snubber
3. 如果不行再把開關速度變慢試試 评分查看全部评分
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