| | | | | 整幾臺樣機做POWERON/OFF測試;抓取炸鷄之前的數據,
评分查看全部评分
|
|
|
|
| | | | | | | | | GS有沒有胡來的信號?
你説輕載就炸,滿載上電炸不炸???
看您描述,炸鷄都是出現在上電瞬間吧!!
|
|
|
| | | | | | | | | | | 是的,大部分是上电瞬间炸。大部分在次级mos管,小部分在初级mos管。大部分是空载上电瞬间炸,小部分满载工作一段时间炸。
|
|
|
| | | | | 网上有说死区不合理可能导致。我测试了初次级驱动波形。
左图是初级关,次级开,死区时间约10ns。右图是次级关,初级开,死区时间约20ns。
死区时间是不是有点短?
|
|
|
| | | | | | | 這個都是MOS的GS電壓波形麽???
GS兩點之間沒整個電阻,上電瞬間會不會???
|
|
|
| | | | | | | | | 是次级同步整流mos管的gs驱动波形,为了提效率,没有串电阻。
|
|
|
| | | | | | | | |
您好,上图是空载启动时的波形。黄色是输入电压波形,蓝色是输出电压波形,绿色是输出电流波形,粉红色是次级MOS管上的DS波形。
刚启动时,输入电压会有一个跌落,此时,蓝色的输出电压有一个尖峰,绿色的输出电流会有一个反向的电流尖峰。下图是细节展开图:
输出电压尖峰会冲到8V,正常输出电压是5V,绿色的反向电流尖峰约为15A,100us宽度。
我知道这个波形是异常的,但是我不知道这个反向的电流尖峰会不会是打坏次级MOS管的原因。
我用的是vishay的管子,80V耐压,60A通流。但是我在芯片手册上找不到其承受反向电流的数据。
我后来加大了软启动时间,这个尖尖就消失了。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 还有那个15A的反向电流尖尖的流通路径是L2-T1次级绕组-Q4Q5Q6Q7的DS寄生电容-输出电容吗? |
|
|
| | | | | | | | | | | | | 这个15A反向电流会把MOS管打坏吗?我测试了这批产品,启动时都有这个反向尖峰,但有的MOS会坏,有的不会。
|
|
|
|
|
| | | | | | | 您好,上图是空载启动时的波形。黄色是输入电压波形,蓝色是输出电压波形,绿色是输出电流波形,粉红色是次级MOS管上的DS波形。
刚启动时,输入电压会有一个跌落,此时,蓝色的输出电压有一个尖峰,绿色的输出电流会有一个反向的电流尖峰。下图是细节展开图:
输出电压尖峰会冲到8V,正常输出电压是5V,绿色的反向电流尖峰约为15A,100us宽度。
我知道这个波形是异常的,但是我不知道这个反向的电流尖峰会不会是打坏次级MOS管的原因。
我用的是vishay的管子,80V耐压,60A通流。但是我在芯片手册上找不到其承受反向电流的数据。
我后来加大了软启动时间,这个尖尖就消失了。
|
|
|
| | | | | | | | | 还有那个15A的反向电流尖尖的流通路径是输出电感L2-T1次级绕组-Q4Q5Q6Q7的DS寄生电容-输出电容C8~C14吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | 这个15A反向电流会把MOS管打坏吗?我测试了这批产品,启动时都有这个反向尖峰,但有的MOS会坏,有的不会。
|
|
|
| | | | | 首先要注意,死区时间(稍长点), 软启稍放大点,, 和MOS尖峰。处理完后。
根据次级同步整流管烧坏的多情况, 那就用肖特基代替分开判断,这样就可以判断初级的工作情况,然后同步整流的时间波形与原边对比,再换上MOS管,注意尖峰。
评分查看全部评分
|
|
|
|
| | | | | | | 您好,上图是空载启动时的波形。黄色是输入电压波形,蓝色是输出电压波形,绿色是输出电流波形,粉红色是次级MOS管上的DS波形。
刚启动时,输入电压会有一个跌落,此时,蓝色的输出电压有一个尖峰,绿色的输出电流会有一个反向的电流尖峰。下图是细节展开图:
输出电压尖峰会冲到8V,正常输出电压是5V,绿色的反向电流尖峰约为15A,100us宽度。
我知道这个波形是异常的,但是我不知道这个反向的电流尖峰会不会是打坏次级MOS管的原因。
我用的是vishay的管子,80V耐压,60A通流。但是我在芯片手册上找不到其承受反向电流的数据。
我后来加大了软启动时间,这个尖尖就消失了。
|
|
|
| | | | | 也可能是芯片被干扰了,导致死区出错。分析下PCB,控制芯片6脚的电位,能不能保证处于一个比较稳定的电位。 评分查看全部评分
|
|
|
|
|
|
| | | | | 同步整流电路,需要优化,在关机时可能会出现同歩整流管同时导通。
|
|
|