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未解决

mos容易烧是咋回事?

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dywhys02
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高级工程师
  • 2020-1-17 20:20:44
10问答币
各位大师,最近用LTC4359做了一个电路,控制一个背靠背的MOS管。输入最高是DC60V,在测试时,前面的MOS容易烧坏。
测试环境是:输入ACDC电源(DC60V,20A最大);输出接一个20欧姆滑动变阻器。
我是参考官方原理图做的。我是并联两个MOS。坏的时候是其中一个先坏。
已经坏过好几次了。请大师们指点一下哪里因素造成的。
附件是参考原理图。

LTC4359qudong.pdf

58.22 KB, 下载次数: 21, 下载积分: 财富 -2

LTC4359

dywhys02
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高级工程师
  • 2020-1-17 20:21:29
 
靠近输入端的MOS容易损坏。
dywhys02
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LV6
高级工程师
  • 2020-1-17 20:33:21
 
图片中的MOS管。如果用示波器的单通道去测G,S,可以吗?需要两个通道去测吗?
dywhys02
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LV6
高级工程师
  • 2020-1-17 20:40:44
 
测试过程中,很明显地看到,是通过SHDN关闭芯片驱动输出,然后再使能SHDN驱动输出的过程中,靠近输入的MOS是击穿了。
nc965
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版主
  • 2020-1-18 08:39:51
 
典型应用是单向,理想二极管,你背靠背算什么?
dywhys02
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高级工程师
  • 2020-1-18 16:48:27
 
版主好。背靠背是让前面的管子充当一个负载开关。有这样的用法,上传的是官方DEMO的参考原理图。

LTC4359qudong.pdf

58.22 KB, 下载次数: 5, 下载积分: 财富 -2

LTC4359

alpha_wang
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高级工程师
  • 2020-1-18 11:34:22
 
1, 为啥别个帮你看问题,下载还需要扣积分
2,你的问题看了几遍没看明白;你说的并联到底是左右两个模块并联起来用呢,还是左右各自模块里的充放电管有两个或多个?而且你的测试条件和测试方法也可以更详细的描述下,要不别人也不好替你分析原因,,哪个算前面的?到底哪个管子坏了,怎么测试坏的,看得我一头雾水呀。。
dywhys02
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高级工程师
  • 2020-1-18 16:47:11
 
不好意思。我没注意,下载需要扣分吗?是不是没有设置好?
wjhld
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高级工程师
  • 2020-1-20 12:35:45
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我也上当了
xkw1cn
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版主
  • 2020-1-19 00:14:46
 
这是个只适合36V及以下电路的开关电路,尤其是你设计的参数;甚至只能安全承受12V的环境。
MOSFET不只VDS和RDSON!想想人家数据表好坏差不多十页,这点参数绝对花不了那么大劲。
唉!说清楚又得几百贴讨论。。。
dywhys02
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高级工程师
  • 2020-1-19 12:47:45
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版主你好。我上传的是DEMO板图。我的图是在这个基础上,更换了元件参数的,耐压都是选择100V的。没有按36V耐压做。
xkw1cn
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版主
  • 2020-1-19 23:06:42
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VDS耐压基本与实际开关电压,在这种应用里没啥关系。设计也不是以此为据。
dywhys02
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高级工程师
  • 2020-1-21 12:04:35
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你好,我在实际设计时用的是英飞凌的一个NMOS,VDS=100V,ID=150A。其他电容参数也是100V的。
xkw1cn
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版主
  • 2020-1-21 23:23:00
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这些只是基本的必要底线但远没充分,用你现在电路中,根本不够!
如果电压电流参数就够了;相信这帮厂家们傻的也不至于仅需两行的数据弄成本书^_^^_^^_^
dywhys02
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LV6
高级工程师
  • 2020-2-2 22:42:49
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版主,我在ADI论坛看到有好几个人都遇到一样的问题,就是说烧前面那个MOS。负载电流很小时,只有5A左右。也会烧。
ADI的原厂技术支持也没给啥明确答复。有个人倒是提了一下,说LTC4359可能驱动控制是有些问题,单一驱动一个后面的MOS当理想二极管还可以,如果再去驱动一个前面的MOS当负载开关,是有点能力不足。他的GS电压是动态调节的。
xkw1cn
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版主
  • 2020-2-2 23:04:20
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你让他加个图腾柱试试,看看是不是死的更欢!^_^
把栅电阻弄到1k欧,看看还坏不。。。
dywhys02
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  • 2020-2-4 16:47:42
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版主。是建议把栅极电阻加到1K吗?
xkw1cn
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  • 2020-2-4 17:04:32
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是滴
dw772
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本网技工
  • 2020-1-27 00:02:14
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最好是把你原理图上传上来,比如元件型号等,别人才好分析
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