求助：升压LLC桥臂中点电压异常，不能实现软开关-综合电源技术-世纪电源网社区

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2020-3-3 11:56:42

10问答币

求助：升压LLC桥臂中点电压异常，不能实现软开关

小弟正在做一个升压的LLC，半桥结构，副边桥式整流。LLC环路参数如下：

谐振电感：Lr = 4.7 uF
谐振电容：Cr = 60nF
变压器激磁电感：Lm = 20uH

输入电压：250V
输出电压：500V
输出电流：4A
谐振频率：f0 = 300 KHz
死区时间：500ns

变压器匝比：1：4

电路原理图如下：

当输入接入400欧姆负载的时候，测量软开关波形，发现有异常，如图所示，黄色为桥臂中点电压，蓝色为下管驱动信号，下管开启之前，桥臂中点电压先降到了低电平，但是随后又升上来了，这是为啥呢，我调试时改变开关频率（ 200KHz~350KHz ），调整回路参数（ Lr减小Cr增大，或者单纯减小Cr ），都一直存在这种现象。

求助有经验的大哥大侠，帮忙看看这个问题是怎么回事？有没有什么改进的方向？

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switchp

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死区时间太大了，在死区时间内，相当于励磁电感上的去磁电流一直往输入倒送电流，最终励磁电感上的能量全部去磁完成还没开始下一个周期，而且是你300Khz，这个死区500nS都占很大比重，看波形控制到100nS都可以ZVS。

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2020-3-3 12:28:46

调整一下功率管DS电容值试试。

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			9 Fancysun2018 Fancysun2018 离线 LV6 高级工程师积分：1367 \| 主题：22 \| 帖子：133 访问空间发消息积分:1367 LV6 高级工程师 2020-3-23 17:07:28 倒数8
			您好，DS间并电容，确实可以实现。感谢！回复 \| 举报 \|

		3 nc965 nc965 离线 LV7 版主积分：93800 \| 主题：115 \| 帖子：27393 访问空间发消息积分:93800 版主 2020-3-3 18:40:53
		什么芯片？回复 \| 举报 \|

			10 Fancysun2018 Fancysun2018 离线 LV6 高级工程师积分：1367 \| 主题：22 \| 帖子：133 访问空间发消息积分:1367 LV6 高级工程师 2020-3-23 17:09:08 倒数7
			您好，驱动芯片UCC27714D，MOSFET Infineon的IPB60R099CPA。您的意思是驱动能力不够？回复 \| 举报 \|

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2020-3-3 20:11:18

导通前的震荡可能是谐振电流过零后，谐振电感和Mos的寄生电容发生了谐振

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			5 lifeif239 lifeif239 离线 LV2 本网技师积分：169 \| 主题：6 \| 帖子：13 访问空间发消息积分:169 LV2 本网技师 2020-3-7 23:12:19
			轻载硬开关？加重负载是不是就没有了？需要调写真参数回复 \| 举报 \|

			11 Fancysun2018 Fancysun2018 离线 LV6 高级工程师积分：1367 \| 主题：22 \| 帖子：133 访问空间发消息积分:1367 LV6 高级工程师 2020-3-23 17:09:51 倒数6
			您好，从仿真上来看，确实是电流过零了回复 \| 举报 \|

		6 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131431 \| 主题：37517 \| 帖子：55631 访问空间发消息积分:131431 版主 2020-3-7 23:27:14
		CDS偏大了。回复 \| 举报 \|

			12 Fancysun2018 Fancysun2018 离线 LV6 高级工程师积分：1367 \| 主题：22 \| 帖子：133 访问空间发消息积分:1367 LV6 高级工程师 2020-3-23 17:10:33 倒数5
			感觉MOSFET的Cds如果大点就能消除这个振荡呢。我仿真试过。回复 \| 举报 \|

		7 ipower_cube ipower_cube 离线 LV6 高级工程师积分：909 \| 主题：1 \| 帖子：173 访问空间发消息积分:909 LV6 高级工程师 2020-3-10 20:55:25 倒数10
		上管关闭时，电感电流已经接近过零点，死区还没结束，电感电流就过零了，然后下管才开通。如果死区时间太长会有这个问题，或者工作点太靠近谐振点，也有可能。回复 \| 举报 \|

			13 Fancysun2018 Fancysun2018 离线 LV6 高级工程师积分：1367 \| 主题：22 \| 帖子：133 访问空间发消息积分:1367 LV6 高级工程师 2020-3-23 17:12:42 倒数4
			您说的应该是对的，我把死区时间减小到250ns，问题就解决了。感谢！对了，您的答案也是最佳答案，但是貌似只能设置一个？sorry 回复 \| 举报 \|

		8 switchp switchp 离线 LV8 副总工程师积分：2536 \| 主题：12 \| 帖子：199 访问空间发消息积分:2536 LV8 副总工程师 2020-3-10 22:19:04 倒数9
		死区时间太大了，在死区时间内，相当于励磁电感上的去磁电流一直往输入倒送电流，最终励磁电感上的能量全部去磁完成还没开始下一个周期，而且是你300Khz，这个死区500nS都占很大比重，看波形控制到100nS都可以ZVS。回复 \| 举报 \|

			14 Fancysun2018 Fancysun2018 离线 LV6 高级工程师积分：1367 \| 主题：22 \| 帖子：133 访问空间发消息积分:1367 LV6 高级工程师 2020-3-23 17:13:28 倒数3
			您说的应该是对的，我把死区时间减小到250ns，问题就解决了。感谢！回复 \| 举报 \|

				15 Fancysun2018 Fancysun2018 离线 LV6 高级工程师积分：1367 \| 主题：22 \| 帖子：133 访问空间发消息积分:1367 LV6 高级工程师 2020-3-23 17:14:55 倒数2
				另外还有个问题，死区时间250ns应该是对MOS的反向恢复参数有要求的吧？是不是死区时间应该大于MOS管的体二极管的反向恢复时间？？回复 \| 举报 \|

					16 switchp switchp 离线 LV8 副总工程师积分：2536 \| 主题：12 \| 帖子：199 访问空间发消息积分:2536 LV8 副总工程师最新回复 2020-3-31 10:35:03 倒数1
					设计的时候需要考虑的是，测试下各个负载情况下是否进入硬开，把硬开关问题解决，软开就不需要这么长的时间。回复 \| 举报 \|