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|  |  | | | | | 嗯，确实，我们现在是原型验证，PCB布线赶出来的。除了PCB，从其他地方还可以补救或改进不？
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 |  | xkw1cn- 积分：131370
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- 主题：37517
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- 帖子：55620
积分:131370 版主 | | | 说了半天；就缺了唯一重点！距离那！！！！！驱动器离MOSFET多远？
原理再完美，也只有20％不到的权重！
这堆文字没一个在点上！
划重点！
以后；所有高频玩意都得带上PCB图！
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| | | | | 楼主好！
1、图中黄色信号不一定真实，检查探头测试方法，尽可能消除了干扰信号。
2、最不应该烧掉驱动芯片，检查驱动芯片电压是否稳定？
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这个设计是否是一个CCM模式PFC ？如果不是，那560uH电感就是最大问题，如果是CCM模式，请看下面！！
在设计上的问题
1、工作频率 ？为何选300K ？目前常用芯片有65K，100K，133K。
2、如何设计PFC电感？ 功率管的选择？以及功率管的驱动 ？
300K CCM PFC注定是一个大的挑战，PFC电感560uH ? 过大的电感不但会增加铜损，由于绕线较多产生的寄生电容也就越大。
带来的附加损耗也就越多，对比65K的频率，300K将会带来多达4.6倍的开关损耗，而CCM模式要命的是硬开关？？？？
从波形看驱动与功率管参数并不匹配，功率MOS的选型及驱动电路的设计可能需要重新考虑。
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| | | | | | | 您好，感谢您的详细回复。我确实是做CCM模式的PFC，300KHZ频率是老板定的，说是为了减小电感，目前是800W，以后要做6KW  。降频的话我下来试试。
这两天我在Boost二极管还有MOSFET上去并RC吸收电路，有一定的效果，振荡减小了很多，但是，上升沿过后有个巨大的尖刺始终消不掉，功率越大其峰峰值就越大。详见下图：
我估计烧芯片的，应该是这个尖刺。而它对应的应该是Boost二极管的反向恢复电流，大家觉得是不是这样的呢？如果真是这样，那么这个问题又该怎么解决呢？
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| | | | | | | | | 楼主好！
SiC二极管是没有反向恢复时间的，也是CCM模式PFC首选择二极管
300K是为减小电感，可电感量还是太大。
顺便问下楼主是采用单周期算法还是平均电流算法？谢谢！！！
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| | | | | | | | | | | 哦，那您知道这个尖刺波形是怎么来的不？
我打算用平均电流法控制。
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| | | | | | | | | | | | | | | 相同R和L，Ciss 是大容易震荡？还是小容易震荡？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我的意思是：其它条件假设一样，CISS 大 or 小，谁更容易发生震荡 ？？ （说点干货啊  ）
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大师好！
Ciss 无认大小都会振荡，由于回路中的R会吸收振荡能量，所以Ciss小时振荡频率高，振荡能量小，并且会被快速吸收了。
Ciss 大振荡频率低，振荡能量也大，所以同样的回路吸收就没那么快。
所以像楼主那个波形图，就是R太小，CiSS太大。
把R加大会影响驱动效果，所以还需考虑驱动回路中的寄生电感。
一起交流学习，不对的地方请指点，谢谢！！！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不敢哈 ~
串联谐振，Ciss 越大，特征阻抗越小。
相同条件下，Ciss 越小，更容易震荡 ~
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我做了一个简单仿真
楼主用的MOS，Ciss 标称2800pF
实际工作受MOS参数及电路参数影响，但这个驱动分析还是有一定意义。
从上图看与楼主波形就有些相似了。
把驱动电阻加大，效果还是不错的。
一起交流进步，不对的地方请指点，谢谢！！！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵，你说的估计大家都明白哈。
我不是问你改变电阻。而是电阻和电感都固定，改变电容！，电容大的和电容小的，谁更容易震荡？
你用参数扫描 {c} . ( step 10nf 100nf 1000nf 10uf ...)
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大师好！
昨天试过了，一样的会，改小后频率会变高。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不是大师哈 ~
我想表达的是：在电阻 和电感保持不变的前提下：1uf如能震荡，0.1u就一定能震荡。 反之，则不然。
思考下：为什么？
通常人们说的因为MOS 的Ciss 导致驱动震荡，其实不是这样的 ！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 回路中的串联电阻就起到吸收能量的作用。
如果电阻较大，那根本就振不了，但不能满足驱动要求。
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| | | | | | | | | 驱动芯片烧坏有可能是因为驱动电阻过小导致芯片发热，可以尝试将驱动电阻改大点试试。
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| | | | | | | | | | | 是的，减小驱动电阻肯定可以减小驱动电流。
但是驱动信号的波形可能就很难看了，上升下降都很缓慢，并且时间太长的话开通损耗也大。另外MOS管的节电容好几个nF，迫使驱动电阻不能太大。
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| | | | | | | | | | | | | 对于驱动来说，工作在100K与300K肯定是带来3倍的损耗，可能导致驱动芯片发热损坏。
所以要么改进驱动，要么换掉功率MOS，选择Ciss较小的功率MOS。
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个关系我知道，但是我调试的时候，不上电驱动芯片一致工作输出驱动信号时，芯片不会发热，也不会烧坏，一上电要不了多久就少了。感觉驱动芯片烧坏还是跟上电有点关系。不知道是不是这样，如果是的话我目前也不知道如何下手排查。哎。。。
明天我试试降低开关频率，同时增大驱动电阻试试看。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 肯定是有关联的，从驱动波形那个小平台就可以看出来了。
驱动电压太高了，驱动电压降低一半，驱动损耗将降低4倍，所以把驱动电压降到6-7V应该很有意义。
平均电流控制方法是什么实现的？也是通过比较器控制峰值电流吗？ 若直接采用峰值电流模式是不是更简单些？
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