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| | | | | | | 楼主好!
行不行?1、驱动的是什么MOS? MOS差异成千上万。
2、驱动的是什么电路,要求有多高?
如果只是要有驱动输出并且驱动一棵小功率MOS管,那10M都行。
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| | | | | | | | | 感谢回复!
1、驱动高压射频功率MOS管
2、共漏推挽功率放大电路,要求输出电压200V。
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| | | | | | | | | | | 要查看所驱动MOS的参数,看看驱动是否能匹配,在驱动能力上主要看Ciss ,实际工作中还受到电路参数及状态影响,所以还需要实测后跟据情况来调整。 |
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| | | | | | | | | | | | | 在MOSFET驱动芯片上可以看到负载接不同大小的电感会影响开通/关断时间这样一张表。
这个不同大小的电感值对应的就是MOSFET的栅极电容吗?
根据这个表以及选用的MOSFET栅极电容去对应MOSFET的开通/关断时间。
是这样判断的吗?
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| | | | | 看一看看看英飞凌的1EDN 2EDS系列,我看他们的氮化镓 DEMO都是这些系列的芯片,可以10MHz的开关个频率
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| | | | | | | 英飞凌的 1EDI60N12AF, 1EDI20N12A, 1EDI60H12AH, 1EDI20H12AH这些芯片的都可以达到4MHz。
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