| | | | | 30nS是普通参数,如果50nC也是普通的,那就用普通芯片搞定。
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| | | | | | | 都说峰值驱动电流很重要,不知道为什么?这个参数能说明什么?
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| | | | | | | | | 这个参数是驱动芯片的卖点,几百mA到几A的都有,说到底就是驱动芯片输出端子的等效内阻,1.5A的芯片说明等效内阻=15V/1.5A=10R,它满足T=RC关系,意思这个芯片要得到你需要的30nS速度,你的Ciss要小于C=T/R=30nS/10R=3nF。
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| | | | | | | | | | | 我看到手册测试选择的12V测试电压
等效内阻是按照12V还是15V还是按照芯片最大电压呢
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| | | | | | | | | | | | | 这个影响不大,不必精确,也精确不了。算下来不大于3nF,你打个半折,1.5nF一定是可以的(意思是3nF一定是不可以的)。
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| | | | | | | | | | | 这个计算过程似乎与功率管实际工作所需的栅电荷没有关系,如果功率管的Ciss给定(功率管datasheet里有写),或者就按3nF算,那功率管从输出Vds电压40V导通,和从1200V导通,按这个计算公式的话,功率管Vgs从0到15V,所需时间都一样啊?都是30nS。这怎么可能?还应该考虑米勒台阶效应增加的导通时间吧?
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| | | | | | | | | | | | | 实际上,无论是栅电荷抑或结电容,它们都是同一件事情的不同表达,它们都与测试条件有关,电压不同则参数不同。千万不要以为你的器件在12V时的栅电荷是50nC,电压提高到15V它还是50nC。提高到1200V它更不会是50nC。
不过T=RC这个公式到确实与电压无关,无论1200V还是40V,抑或15V还是5V,T=RC都成立,只要C不变,它都是30nS。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我就是这个意思,电压不同,栅电荷就不同,驱动能力一定的话,导通时间怎么会一样?Ciss中包含Cgd吧,不同电压情况的Cgd上的电压不同,不能说电容值相同就认为导通时间一样吧?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 是的,电压不同,栅电荷就显著不同,虽然Ciss也会不同,但轻变化微得多,即使受Cgd影响,也相对轻微,大不了打半折,不行再打半折。这就是为什么要用Ciss而非栅电容来计算上升沿的原因。 |
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| | | | | | | 如果Rgon给定,那电流就已经被限制了,那驱动器输出电流能力再大也不会超过Idrive了,那不如减小Rgon,增大驱动管的导通阻抗,它俩阻抗之和不变,这样设计还容易点儿,驱动管尺寸不会太大,走线也容易。这样看,驱动管驱动能力没必要设计的太强吧?
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| | | | | 我计算了一下,不知道是否正确,如有错误,多多包函。
栅电荷为50nC,上升时间30ns,驱动要用到1.67A的电流。计算方法:Q=V*C=I*T;I=0.00000005/0.00000003=1.67A.
再根据VCC电压和驱动器的内阻,匹配栅极电阻.GR=V/I-内阻.
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| | | | | | | | | 因为楼主并不提供更多信息,楼上的这样算一算我认为也是可以做为一个参考。
受Ciss与Crss影响,Crss是非线性的,并且与VDS有关,这些参数楼主也都没有提供。
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