如何增加隔离电源驱动NOMOS的能力-电源管理方案充电器/适配器-世纪电源网社区

q897039433

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2020-4-23 09:46:51

10问答币

请教论坛各位大佬，最近在做一款产品，需要使用隔离电源驱动高端NMOS管，在该项目中使用了2个IRFP4368的管子，其参数请见下图，由于该MOS的Qg比较大，但是出于成本考虑，想用一个12V1W的隔离电源去驱动该MOS。该MOS的开关频率不会超过1K。试问各位大佬，为了提高该管的导通速度，我能否通过增加该电源的输出电容或者在图腾驱动的电源输入侧增大电容来提高该MOS的导通速度呢？

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		2 zhuliu09 zhuliu09 离线 LV8 副总工程师积分：4283 \| 主题：0 \| 帖子：849 访问空间发消息积分:4283 LV8 副总工程师 2020-4-23 15:25:40 倒数4
		你减小那个10R的驱动电阻效果更明显一点。回复 \| 举报 \|

		3 wangdongchun wangdongchun 离线 LV12 专家积分：41146 \| 主题：751 \| 帖子：6832 访问空间发消息积分:41146 LV12 专家 2020-4-23 22:34:23 倒数3
		将10欧电阻换成5欧电阻就行回复 \| 举报 \|

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2020-4-24 08:27:54
倒数2

提高该MOS的导通速度，那你需要导通上升时间是多少？提高导通速度是为了减少功耗，还是元件发热？开关频率只有1KHZ，应该产生的功耗也不会太高吧！提高导通速度，只要三极管的导通内阻+外接电阻达到所需的G极电阻即可.在两个驱动管供电处放一个电容也可以提升驱动效果.

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			5 q897039433 q897039433 离线 LV2 本网技师积分：185 \| 主题：3 \| 帖子：6 访问空间发消息积分:185 LV2 本网技师最新回复 2020-4-27 17:37:54 倒数1
			这部分参数都没有确定下来，主要是有个项目要求，在放电过程中电池以一定的频率关断输出，测量其断路电压，虽然我也不知道这个功能有什么用。我就担心到最后客户要求的开关频率太高，导致开关损耗上升，所以想加快管子的导通速度，谢谢大佬，这样我就明白该如何设计电路了。回复 \| 举报 \|

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