聊一聊纳微和英诺赛科氮化镓GaN产品应用电路

作者:马坤(邮箱 : kuner0806@163.com)

随着zg芯GaN产品上市，引起了大家的关注，PD产品更是多姿多彩;纳微GaN产品和英诺赛科GaN
产品有什么区别?本文我们就做一些比对;帮助大家清晰的了解GaN产品。
1.从氮化镓GaN产品的名称上对比
如下图所示，产品GaN标示图。纳微: GaNFastTM Power ICs是GaN功率IC，而英诺赛科: E-Mode
GaN FET是GaN功率管;






纳微: GaNFastTM Power ICs       英诺赛科: E-Mode GaN FET

2.从氮化镓GaN产品结构上对比
如下图所示，纳微GaN产品结构，包含HV GaNFET,和Integrated Circuit;电容电阻和LV GaNFET组成内部电路;而英诺赛科GaN产品对应与纳微GaN器件中的HV GaNFET部分;

纳微GaN组成部分                                                                                               英诺赛科GaN产品


3.其氮化镓GaN产品特点
纳微GaN产品为单片集成GaN功率IC; GaNFET IC集成了: GaN FET (650V; Rds: 110-560 m2) +GaN驱动器+ GaN逻辑电路，如下图;

英诺赛科的GaN产品特点:单片耐压650VGaN功率管，-个三端功率器件;

纳微GaN产品和英诺赛科GaN产品都属于E-Mode方式;
纳微GaN产品型号: NV6113、 NV6115、NV6117、 NV6125、NV6127、 NV6252
英诺赛科GaN产品型号: INN650D01、 INN650D02
4.氮化镓GaN产品参数对比
如下表所示，英诺赛科GaN产 品型号INN650D02对标纳微GaN产品型号NV6125;其内阻和Qoss,
Coss电容值都比较接近;封装上略大- -些;


5.氮化镓GaN产品应用电路
5.1从上内容可以看，由于英诺赛科GaN产品是: E-Mode GaNFET,查看其规格书参数;

英诺赛科的GaN产品的Vgs开通阈值电压为1.7V,建议的驱动电压为5.5V-6.5V,通常选取的电压为6V。
通常使用控制IC，需要将控制输出电压转换为6V,英诺赛科GaN产品需要外部驱动转换电路;
有两种方式转换:
(5.1.1)使用 电阻电容分压电路

英诺赛科推广的Demo板即采用此电路，如下图所示;


以QR电路结构，控制芯片NCP1342应用电路; NCP1342 DRV高电平输出(12V) R3、 R4、C1构成的分压电路，Cgs电容较小，很快被充电至Vgsth值，C1 电容值推荐680pF至1nF之间。
(5.1.2)使用驱动IC


洛克65W产品采用了此电路应用，如下图PCB截图部分所示;

以QR电路结构，控制芯片NCP1342应用电路;驱动IC FAN3111E;需要VCC1通过稳压电路到VCC2给FAN3111E供电;当VCC2值设置为6V时，输出电压也为6V,输出信号IN+电压值不能超过VCC2值，需要R5/R7进行分压。C4的工作是减小由于输入端寄生电容导致的驱动信号失真。
5.2纳微GaN应用电路图，由于内置驱动电路，所以外围简洁


实际应用电路图PCB部分截图所示;

以QR电路结构，控制芯片NCP1342应用电路;纳微产品内部集成了驱动电路，将NCP1342输出PWM信号转换成内部驱动GaN FET的驱动信号。外围器件数量少，设计简单; .
6.氮化镓GaN产品应用电路BOM列表对比
从下表中可以看到各产品外围应用电路元器件个数; .

7氮化镓GaN产品应用电路的优劣势

8.氮化镓GaN产品应用中设计
设计氮化镓GaN产品，应用电路中如下图所示，HV Power FET工作在高频中，Driver电路信 号回路近可能的短，避免Lg / Ls寄生参数的影响;减少开关信号中的振铃波形;

纳微GaN产品集成驱动和逻辑电路，确保GaN产 品的可靠性;各个管脚ESD 1K;有效消除Gate噪音干扰
外置驱动电路+GaN FET在layout布局上要求高，来减少环路干扰;

9.氮化镓GaN产品驱动电路外置和内置的区别