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|  |  | | | | | 1、已申请；2、完善自己的SiC MOSFET的驱动设计，用于后期多电平ANPC的研究；3、双脉冲测试对比。
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 | | | | | 1. 已参加 2.申请评估板 P02SCT3040KR-EVK-001，用于直流充电桩功率模块，评估SIc优化设备的热性能和减小产品的体积,以及是否能达到成本接近 |
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| | | | | 1、已申请。2、后期机器电控开发的功率器件会选择SiC，以节省空间。3、主要用来测试开关效率，以及相关功率部分参数。
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| | | | | 1，已申请，2，应用于OBC,测试开关损耗及双脉冲特性。3，等着上测试波形哈........ |
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|  | | | | 1，已申请，2，应用于600W充电器,测试开关损耗及双脉冲特性。3，评估性价比.
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| | | | | 已经申请，ROHM值得信赖，以后还要多多跟大家学习，感谢。 |
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| | | | | 1、已申请。2、了解学习SiC器件测试平台设计原理。3、对比测试器件性能，介绍评估版的原理 |
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| | | | | 已参加 申请P02SCT3040KR-EVK-001用于SCT3017双脉冲测试和开关损耗评估 双脉冲测试 |
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| | | | | 已申请，SiC MOSFET 评估板 P02SCT3040KR-EVK-001，申请对4pin的1200V碳化硅MOS进行评估测试
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| | | | | 1. 已申请。2. 探索高压LLC在未来大功率服务器电源的应用。3. 8.15-8.21学习资料；8.22-9.15 完成3kw LLC电路调试；9.16-9.30 整理数据，发帖。 |
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| | | | | 已申请，SiC MOSFET 评估板 P02SCT3040KR-EVK-001，申请使用在车载充电器进行评估测试。
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| | | | | | | 参加，申请理由:
1.根据此方案研发电力继保上使用的电源模块，根据此方案进行分解，改进，
2.学习使用罗姆的Sic和驱动器IC产品，和目前使用的一些电源进行比较，然后就此研发新产品，
3.和华科开展校企合作，研发继保电源。
使用规划：
1.评估参考板的各项指标，电压调整率，负载调整率，效率和反馈环路的设计。
2.对比其他厂家，测量其性能。
3.购买罗姆产品，设计芯片的继保电源，然后样机，批量生产。
3.发表心得
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| | | | | 已申请，SiC MOSFET 评估板 P02SCT3040KR-EVK-001，申请使用在车载充电器进行评估测试。
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| | | | | 1、已申请
2、申请理由;
目前电动汽车电驱动项目所用的是IGBT逆变器，受限于开关频率和开关、导通损耗，不能实现较高效率，
且在同步调制算法下，载波比较小，逆变输出波形谐波含量较大，电机输出转矩受影响而波动。
当前优化目标主要是利用较高耐压的Sic Mosfet进行升级替代，实现较宽范围的同步调制，
同时降低开关损耗。故此申请该评估版了解SiC器件驱动与传统IGBT驱动的不同和性能。
3、试用规划:
首先学习评估板说明手册，了解其电气性能，基本使用方法。再者进行开箱展示，评估学习其PCB布局经验，元器件选用，方案设计经验，了解其驱动方案与传统IGBT驱动的不同与原因以及保护功能的实现原理。
最后利用示波器或万用表测试评估板关键信号波形，测试驱动开通时间及关断时间波形等。 |
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| | | | | 1：已参加。2：申请理由，我是电源研发工程师，公司正在计划做双向隔离DCDC产品，使用双有源桥（DAB）拓扑，项目计划使用碳化硅元件替代传统的mos管和IGBT，提高效率，缩小体积，刚好看到罗姆的SiC有评估板试用申请。3：试用规划，公司现有产品使用的是boost，buck拓扑结构的DCDC电源，罗姆的评估板是半桥拓扑，计划使用评估组成boost，buck拓扑的电源，与公司现有的mos管，IGBT元件的产品做各项参数的对比。
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| | | | | | | 已参加，申请理由:本身岗位主要是做微波功率放大器设计设计的，经常需要用到mos管，驱动器搭建电源调制电路给功放馈电用。目前选型的mos管性能不太符合要求，所以想申请贵单位的开发板，测试下性能。
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| | | | | 1、已申请。2、了解学习SiC器件测试平台设计原理。
3、对比测试器件性能，后面按测试情况可能用于公司产品上试用。
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| | | | | | 1、已申请。2、了解学习SiC器件测试平台设计原理，探索快速正弦波电源的设计。
3、初步测试其驱动方法与响应速度等，带载测试正弦波电源设计构想的正确性。
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| | | | | 1、已申请。2、了解学习SiC器件测试平台设计原理。3、测量评估SiC器件开关特性，在常规应用电路中测试器件性能。
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| | | | | 1.已经申请，2.为了了解罗姆Sic性能以及在DC/DC性能提升情况。3，了解Sic驱动电路以及缓冲电路。
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| | | | | | | 1.已申请。
2.申请理由及试用规划：本人专业方向为电力电子与电力传动，长期从事DC DC变换器、DC—AC变换器实验，所用的mosfet和igbt都是传统si材料制成，损耗较大。sic材料的出现减小了开关管损耗。现申请试行版，1）从实验的角度验证sic材料的高效性，2）将之前所做所有的实验试用罗姆板重新进行，将实验结果与之前的数据进行比对，3）撰写实验报告，主要包括使用感受、对试用板的意见与建议。
希望能够有幸被选中获得试用板，在此，谢谢各位工作人员！
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| | | | | 1.已申请;2;阶段反激AC TO DC产品在成本竞争非常激烈。
3试用计划：测试 SiC 电源解决方案开发产品的难易度和现阶段真实性能。 |
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| | | | | 1：已参加。2：申请理由 ：目前在考虑将以前的产品方案进行升级，比如高功率密度的数字电源、小型逆变器等方案，功率管也要切换为SiC、GaN这一类器件，由于之前对这方面器件了解比较少，所以想借此机会熟悉一下贵公司的SiC器件、驱动设计，方便后期器件选型。 3:试用规划 ：熟悉SiC的驱动设计，测试SiC器件的驱动信号，测试在轻载情况下如何实现降损这是计划。 |
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| | | | | 1.已经申请 。2.为了了解罗姆Sic性能以及在DC/DC性能提升，温度与频率关系等情况。3，了解Sic驱动电路以及缓冲电路。 |
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