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书籍分享-GaN Transistors for Efficient Power Conversion

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1
忆若枫之塔
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LV3
助理工程师
  • 2020-6-28 10:16:25
关于GaN的一本电子书-GaN Transistors for Efficient Power Conversion,分享给大家。

GaN Transistors for Efficient Power Conversion.pdf

4.83 MB, 下载次数: 63, 下载积分: 财富 -2

zhaowenming007
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LV6
高级工程师
  • 2020-7-2 15:07:53
  • 倒数2
 
帮客户开发过一些GANFET电源,有几点想法跟大伙分享:
GANFET不同于MOSFET,GAN具有较小的结电容,较低的开启电平。较好的导热系数。
因此开发GANFET电源时。必须采用超过MOSFET电源的频率才能体现其优越性。可是越高的频率就会有更高难度的设计。不过只要围绕驱动回路和功率回路的面积尽量减少的宗旨,也不难处理,还是可以设计的很好的。目前市面上主流三款氮化镓方案在跑。
PI、纳微、英洛赛科。PI的氮化镓频率跑不高,因为其结构是一个MOS和一个GAN的组合体。纳微采用内置驱动和GANFET一体化设计,内置驱动其实就是一个运放一个,门电路和一些电容电阻组成的逻辑电路,还是需要外置器件组成一个驱动电路。严格的说也不算内集成驱动。英洛赛科GANFET就是一个单纯的功率管,采用DFN8*8封装,具有良好的导热性和灵活的设计。对于电源产品来说,功率器件和控制电路分开其实是最好的设计,因为每次设计不会是一模一样的,每次设计的寄生参数完全不同。如果全部内置,很难调试。分立更加灵活。而且电源产品的部件都是发热元件,集成度太高,散热很不好处理。鉴于以上几点,如果选用氮化镓方案开发电源,英洛赛科是最佳的选择。有需要请联系微信18814309568赵工。

sunhua
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LV2
本网技师
最新回复
  • 2020-7-3 08:53:32
  • 倒数1
 
感谢经验分享,受教了,谢谢!
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