| | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | 就一低端设计,何来计算延时。。。
首先;这是个温度函数。不同温度有不同开通阀值
其次;是否真开通;取决于输出负载施加电流大小和开启阀值
一个随温度、负载和个体变异的参数;在没有统计学出=数据时;如何给你定义?
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忽略MOS管,RC延迟电路上电曲线和方程如上,其中Rb为R1//R2。
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| | | | | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | | | | 问题是F(t)多大会导致MOSFET开通?这是未知数。
也就是赛跑时,你压根就不知道终点在哪,咋知道啥时跑完?
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这种电路估计就是为了实现一个大概的延迟时间,查了下NTE4151手册设开启电压在0.6~1V之间,计算出来的延迟时间大约0.2~0.369秒(没考虑电解漏电流)。
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| | | | xkw1cn- 积分:131431
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积分:131431 版主 | | | | | |
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| | | | | C1,R1构成延时,可根据t=R1C1ln((V-V0)/V)计算,充电时间95us
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| | | | | | | 请问公式R是算R1和R2并联,还是就是R1啊,为什么这里又说两个1M的并联呢? |
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