车充辐射整改方法，车载充电器辐射整改的建议

1.选用合适的车充芯片。芯片的启动时间，频率对辐射影响很大。

2.PCB板的layou

3.芯片外围的抗干扰电路。

首先从芯片的选择来考虑。芯片的启动时间越快，越难整改。芯片的频率越高，越难整改。芯片的启动时间快，芯片内部的MOS管产生的尖峰，就越大，产生的di/dv越大。频率越高，根据公式Xl=2π fL(Xl是感抗，π 是指圆周率， f指频率，L电感量），当电感量一定时，频率越高，感抗越大，引起的损耗越大。下面用英集芯的IP6515 和斯帕沃的NDP1460做对比一下。                                                           从资料可以知道，英集芯的IP6515的MOS管启动时间是5mS,斯帕沃的NDP1460启动时间是250nS。同一块PCB测试出来的数据完全不一样。IP6515启动时间慢，产生尖峰小，辐射效果好。 相反 NDP146启动时间快，产生尖峰高，辐射效果差  。 如下图。                                                                                                                   上图是英集芯的IP6515测试的辐射。

          下图是斯帕沃的NDP1460测试出来的辐射

         

            由于时间关系。今天先更新到这，更多咨询，请联系！      电话和微信同号：13138816923  QQ:1921604501   专业销售车充IC，旅充IC，无线充IC,风扇IC，LED灯IC,PD,QC协议IC,MOS管，二极管，以及智能控制性单片机。