截图糊啦啊啊啊，在规格书里也有。
评估板包括反激式QR开关电源部分，隔离驱动部分，控制部分，保护部分。反激电源提供驱动IC所需的正负电压对MOS进行拉灌电流，
使开关管快速开通和关断，其电压可根据SiC和Si MOS配置（正压可配置范围10.35V～20.56V，负压可配置范围0V～-4.3V）。
驱动部分可通过驱动电阻和快恢复二极管单独配置通断速度，此外缓冲电路内的电阻仅消耗超过高压输入电压的浪涌量，
因此采用的非放电型缓冲电路是最适合高频开关电路的电路方式，其参数设计可参考附件的《SiC MOSFET缓冲电路的设计方法》。
控制部分对输入的PWM信号进行硬件死区生成，防止上下桥臂直通。保护部分包括可配置偏压的OCP检测电路、过压检测、
驱动电压检测等，且设置了相应的故障指示报警灯以及复位按键，极大的方便了用户调试。
传统MOSFET的封装多为TO-247即3L型，对于SiC这种适用于更高频的应用的采用了开尔文接法4L型，通过使连接栅极驱动电路
返回线的源极电压引脚与流过大电流的电源源极引脚独立，来消除ID对栅极驱动电路的影响。据说这个设计使开关损耗降低了35%左右。
从上图中可以一目了然地看出，包括VG在内的驱动电路中不包含LSOURCE，因此完全不受开关工作时的ID变化带来的
VLSOURCE的影响，由此高速开关带来了损耗改善。
导通时，3L型封装在驱动电压VG包含了VLSOURCE，使MOSFET的导通动作所需的电压VGS_INT减少，最终导致导通速度下降。
关断时也是同样的原理，由于式中的dID/dt为负，使VLSOURCE上升，从而VSG_INT增加导致关断速度下降。
虽然4L与3L型相比改变了驱动电路路径，使开关速度加快并降低了开关损耗。然而由于这个原因Turn On电压尖峰和Turn Off
电压尖峰变得更大。除了非放电缓冲电路的设计，附件《SiC MOSFET栅极-源极电压的浪涌抑制方法》中详细分析了驱动端浪涌
抑制措施以及实验效果，在此不再赘述，文档超级详细。
通过对该评估板设计的学习，其每个部分都可以作为学习的模板，从PCB布局布线、反激式开关电源、
到多种驱动钳位浪涌保护设计、非放电式吸收电路等各方面都可以从中学习到很多实用的设计经验，很方便的即可用于自己的项目设计中。
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